[PDF] SJ 50033.52-1994 - 中国标准 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ 50033.52-1994 | 519 | SJ 50033.52-1994 | <=3 | 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 50033.52-1994 (SJ50033.52-1994) |
| 中文名称 | 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 |
| 英文名称 | Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS0529 GaAs microwave Power field effect transistor |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | L44 |
| 字数估计 | 13,110 |
| 发布日期 | 9/30/1994 |
| 实施日期 | 12/1/1994 |
| 引用标准 | GB 4586-1984; GJB 33-1985; GJB 128-1986 |
| 范围 | 本规范规定了CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 |
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