[PDF] SJ/T 10482-1994 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ/T 10482-1994 | 219 | SJ/T 10482-1994 | <=3 | 半导体中深能级的瞬态电容.测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 10482-1994 (SJ/T10482-1994) |
| 中文名称 | 半导体中深能级的瞬态电容.测试方法 |
| 英文名称 | Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | L11 |
| 字数估计 | 6,618 |
| 发布日期 | 4/11/1994 |
| 实施日期 | 10/1/1994 |
| 采用标准 | ASTM F978-90, NEQ |
| 范围 | 本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化嫁等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。 |
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