[PDF] SJ/T 11864-2022 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ/T 11864-2022 | 279 | SJ/T 11864-2022 | <=3 | 半绝缘型碳化硅单晶衬底 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 11864-2022 (SJ/T11864-2022) |
| 中文名称 | 半绝缘型碳化硅单晶衬底 |
| 英文名称 | (Semi-insulating silicon carbide single crystal substrate) |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 字数估计 | 11,170 |
| 发布日期 | 2022-09-30 |
| 实施日期 | 2023-01-01 |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本文件规定了半绝缘型碳化硅（SiC）单晶衬底的术语、分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本文件适用于经抛光后制备的Φ50.8 mm，Φ76.2 mm，Φ100.0mm，Φ150.0 mm 半绝缘型 SiC 衬底，晶型为 4H。 |
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