[PDF] SJ/T 11976-2025 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ/T 11976-2025 | 229 | SJ/T 11976-2025 | <=3 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 11976-2025 (SJ/T11976-2025) |
| 中文名称 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶 |
| 英文名称 | Neutron transmutation doped float zone silicon single crystal for Insulate GateBipolar Transistors (IGBT) |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | L90 |
| 国际标准分类 | 31.03 |
| 字数估计 | 10,191 |
| 发布日期 | 2025-05-09 |
| 实施日期 | 2025-08-01 |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本文件规定了IGBT用中子嬗变掺杂区熔硅单晶（以下简称NTD硅单晶）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等本文件适用于IGBT产品用NTD硅单晶 |
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