路径: 主页 > YS/T > 第8页 > YS/T 840-2012 | 标准编号 | YS/T 840-2012 (YS/T840-2012) | | 中文名称 | 再生硅料分类和技术条件 | | 英文名称 | Classification and technical specification for renewable crystal silicon | | 行业 | 有色冶金行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H68 | | 国际标准分类 | 77.150.99 | | 字数估计 | 7,754 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1551; GB/T 1558; GB/T 14264; GB/T 24574; GB/T 24579; GB/T 24581; GB/T 24582; SEMI PV1 | | 标准依据 | 工业和信息化部公告2012年第55号;行业标准备案公告2013年第1号(总第157号); | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了再生硅料的技术条件及分类、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存、订货单等。本标准适用于从生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的硅料, 来源包括用于生产太阳能级硅晶体的除过碳的碳极多晶硅(碳头料)、晶体硅头尾料、边皮料、埚底料、晶体硅样块、原生型废硅片等。 | YS/T 840-2012
Classification and technical specification for renewable crystal silicon
ICS 77.150.99
H68
中华人民共和国有色金属行业标准
再生硅料分类和技术条件
2012-11-07发布
2013-03-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本标准起草单位:西安隆基硅材料股份有限公司。
本标准主要起草人:李振国、钟宝申、赵可武、张群社。
本标准系首次发布。
再生硅料分类和技术条件
1 范围
本标准规定了再生硅料的技术条件及分类、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存、订货
单等。
本标准适用于从生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的硅料,来源包括用于生产太阳能级硅
晶体的除过碳的碳极多晶硅(碳头料)、晶体硅头尾料、边皮料、埚底料、晶体硅样块、原生型废硅片等。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24579 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
SEMIPV1 用高分辨率辉光放电光谱测定法测定太阳能级硅中的痕量元素
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
在多晶硅生产过程中,包围在U型多晶硅棒的碳极周围,沾连有石墨的不规则形状多晶硅料。
3.2
在拉制单晶硅棒过程中形成的头尾圆锥体。也包括拉制单晶失败产生的多晶硅棒和位错单晶。
3.3
埚底料 potscrap
在拉制单晶硅棒的过程中,残留在石英坩埚中的硅料。
3.4
晶体硅样块 t......
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