路径: 主页 > GB/T > 第394页 > GB/T 13388-2009 | 标准编号 | GB/T 13388-2009 (GB/T13388-2009) | | 中文名称 | 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 | | 英文名称 | Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 11,195 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 13388-1992 | | 采用标准 | SEMI MF847-0705, MOD | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了α角的测量方法, α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定, 且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。 | GB/T 13388-2009
Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T １３３８８-２００９
代替GB/T １３３８８-１９９２
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准修改采用ＳＥＭＩＭＦ８４７-０７０５《硅片参考面晶向Ｘ射线测试方法》。
本标准与ＳＥＭＩＭＦ８４７-０７０５相比，有以下不同：
---将ＳＥＭＩ标准中引用的部分国际标准，采用直接引用对应的我国标准；
---主要格式内容按GB/T １．１的要求编排。
本标准代替GB/T １３３８８-１９９２《硅片参考面结晶学取向Ｘ射线测试方法》。
本标准与GB/T １３３８８-１９９２相比，主要有如下变化：
---增加了方法２---劳厄背反射Ｘ射线法；
---取消了硅片的直径和参考面长度的具体规定；
---修订前的国标中规定“该方法不适用于硅片规定取向在与参考面和硅片表面相垂直的平面内
的投影与硅片表面法线之间夹角不小于３°的硅片的测量”；而ＳＥＭＩＭＦ８４７-０７０５，仅适用于角
度偏离从-５°到＋５°的硅片；
---规范性引用文件有所增加；
---修改了精密度采用了ＳＥＭＩＭＦ８４７-０７０５中通过对一个硅片进行５０次（每面２５次）的测量，得
到对这一测试方面的单个仪器、单个操作者的再现性评价：α计算值的１-α分布为１．９４′；
---增加了相关安全条款。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（ＳＡＣ/TＣ２０３）提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司。
本标准主要起草人：孙燕、卢立延、杜娟、翟富义、高玉锈。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB/T １３３８８-１９９２。
GB/T １３３８８-２００９
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
１ 目的
１．１ 硅片的参考面结晶学取向（晶向）是一个重要的材料验收参数。在半导体器件工艺中，一般利用参
考面来校准半导体器件的几何图形阵列与结晶学晶面及晶向的一致性。
１．２ 硅片的参考面（位于片子边缘）晶向是参考面表面的结晶学取向，参考面通常用规定为一个相关的
低指数晶面，如（１１０）晶面，在这种情况下，参考面的晶向可以用其偏离低指数晶面的角度来描述。
１．３ 本标准包括两个测定方法。
１．４ 两个测试方法都能用于工艺开发和质量保证方面。但在该方法的多个实验室间精度（再现性限）
确定之前，如双方未圆满完成两个方法的相关性研究，不推荐在供需双方使用该方法。
２ 范围
２．１ 本标准规定了α角的测量方法，α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面
间角。
２．２ 本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T １２９６４和GB/T １２９６５中的规定，且硅片角度
偏离应在-５°到＋５°范围之内。
２．３ 由本标准测定的晶向精度直接依赖于参考表面与基准挡板的匹配精度和挡板与相对于的Ｘ射线
的取向精度。
２．４ 本标准包含如下两种测试方法：
测试方法１---Ｘ射线边缘衍射法
测试方法２---劳厄背反射Ｘ射线法
２．４．１ 测试方法１是非破坏性的，为了使硅片唯一的相对于Ｘ射线测角器定位，除了使用特殊的硅片
夹具外，与GB/T １５５５测试方法１类似。与劳厄背反射法相比，该技术测量参考面的晶向能得到更高
的精度。
２．４．２ 方法２也是非破坏性的，为了使参考面相对于Ｘ射线束定位，除了使用“瞬时”底片和特殊夹具
外，与ＡＳＴＭＥ８２和ＤＩＮ５０４３３测试方法第３部分类似。虽然方法２更简单快速，但不具有方法１的精
度，因为其使用的仪器和夹具装置精确度较低且成本较低。方法２提供了一个测量的永久性底片的
记录。
注：解释Ｌａｕｅ照片可以获得硅片取向误差的信息。然而这超出了测试方法的范围。愿意进行这种解释的用户，可
以参阅ＡＳＴＭＥ８２和ＤＩＮ５０４３３测试方法第３部分或标准的Ｘ射线教科书。由于可以使用不同的夹具，方法
２也适用于硅片表面取向的测定。
２．５ 本标准中的数值均以公制为单位，英制单位的数值放在括号内仅作为信息提供。
注：本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。标准使用前，建立合适的安全和保障措施以及确定规
章制度的应用范围是标准使用者的责任。
３ 局限性
３．......
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