路径: 主页 > GB/T > 第238页 > GB/T 14112-2015 | 标准编号 | GB/T 14112-2015 (GB/T14112-2015) | | 中文名称 | 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 | | 英文名称 | Semiconductor integrated circuits -- Specification for stamped lead frames of plastic DIP | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L56 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 26,278 | | 发布日期 | 2015-05-15 | | 实施日期 | 2016-01-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 14112-1993 | | 引用标准 | GB/T 2423.60-2008; GB/T 2828.1-2012; GB/T 7092; GB/T 14113; SJ 20129 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第15号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架的技术要求及检验规则。本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。 | GB/T 14112-2015
ICS 31.200
L56
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 14112-1993
半导体集成电路
塑料双列封装冲制型引线框架规范
2015-05-15发布
2016-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 技术要求 1
4.1 引线框架尺寸 1
4.2 引线框架形状和位置公差 2
4.3 引线框架外观 3
4.4 引线框架镀层 3
4.5 引线框架外引线强度 4
4.6 铜剥离试验 4
4.7 银剥离试验 4
5 检验规则 4
5.1 检验批的构成 4
5.2 鉴定批准程序 4
5.3 质量一致性检验 4
6 订货资料 7
7 标志、包装、运输、贮存 7
7.1 标志、包装 7
7.2 运输、贮存 7
附录A(规范性附录) 引线框架机械测量 8
附录B(规范性附录) 引线框架高温和机械试验 16
附录C(资料性附录) 批允许不合格率(LTPD)抽样方案 18
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 14112-1993《半导体集成电路 塑封双列封装冲制型引线框架规范》。
本标准与GB/T 14112-1993相比主要变化如下:
---关于规范性引用文件:增加引导语;抽样标准由GB/T 2828.1-2012代替IEC 410;增加引用
文件GB/T 2423.60-2008、SJ20129;
---增加术语和定义,并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义;
---标准“4.2引线框架形状和位置公差”中,增加了芯片粘接区平面度、引线框架内部位置公差的
有关要求;
---修改了标准中对“侧弯”的要求(见4.2.1):原标准仅规定了侧弯小于0.05mm/150mm,本标
准在整个标称长度上进行规定;
---修改了标准中对“卷曲”的要求(见4.2.2):原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm/150mm,
本标准根据材料的厚度进行规定;
---修改了标准中对“条带扭曲”的要求(见4.2.4):原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm,本标
准将框架扭曲修改为条带扭曲,并根据材料的厚度进行规定;
---修改了标准中对“引线扭曲”的要求(见4.2.5):原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端
点的最大扭曲值,本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定;
---修改了标准中对“精压深度”的要求(见4.2.6):在原标准的基础上,增加了最大精压深度与最
小引线间距的相关要求;
---修改了标准中对“绝缘间隙”的要求(见4.2.7):原标准中规定的绝缘间隙为0.15mm,本标准
修改为0.1mm;
---修改了标准中对“精压区共面性”的要求(见4.2.8):原标准中规定了引线框架条宽大于
50.8mm,精压区共面性为±0.25mm,本标准修改为±0.2mm;
---修改了标准中对“芯片粘接区斜度”的要求(见4.2.9):原标准中分别规定了受压和不受压情况
下的斜度,本标准统一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm;
---对标准的“4.3引线框架外观”中相应条款进行了调整,原标准对引线框架外观要求按“功能
区、其他区域”分别表示;本标准按“毛刺,凹坑、压痕和划痕”分别描述,并对原标准中“划痕”的
要求适当加严,即在任何区域内“划痕”均不得超过1个;
---修改了标准中对“局部镀银”的要求(见4.4.1.2):原标准中规定镀银层厚度不小于3.5μm(平
均值),本标准修改为不小于3μm;
---修改了标准中对“镀层外观”的要求(见4.4.2):在原标准的基础上,增加了对镀层外观的相关
要求;
---增加了“铜剥离试验”的有关要求(见4.6);
---增加了“银剥离试验”的有关要求(见4.7);
---修改了标准中对“检验要求”的要求:修改了原标准中A1a、A1b、A2分组的检测水平及AQL,
并对A1a、A1b,B2a、B2b分组进行合并;原标准中B组采用LTPD抽样方案,本标准将B1、
B2、B3修改为AQL抽样方案,并增加C3、C4检验的抽样要求;
---修改了标准中对“贮存”的有关要求:原标准镀银引线框架保存期为三个月,本标准规定为6个
月(见7.2)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本标准起草单位:厦门永红科技有限公司。
本标准主要起草人:林桂贤、王锋涛、洪玉云。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 14112-1993。
半导体集成电路
塑料双列封装冲制型引线框架规范
1 范围
本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检
验规则。
本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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