标准搜索结果: 'GB/T 15651.5-2024'
| 标准编号 | GB/T 15651.5-2024 (GB/T15651.5-2024) | | 中文名称 | 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器 | | 英文名称 | Semiconductor devices -- Part 5-5: Optoelectronic devices -- Photocouplers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L50 | | 国际标准分类 | 31.080 | | 字数估计 | 50,519 | | 发布日期 | 2024-03-15 | | 实施日期 | 2024-07-01 | | 起草单位 | 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第四十四研究所、威凯检测技术有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、国网江苏省电力有限公司 | | 归口单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 | | 提出机构 | 中华人民共和国工业和信息化部 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 15651.5-2024: 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器
ICS 31.080
CCSL50
中华人民共和国国家标准
半导体器件 第5-5部分:
光电子器件 光电耦合器
(IEC 60747-5-5:2020,IDT)
2024-03-15发布
2024-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
引言 Ⅳ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 2
4 电特性 9
4.1 光电晶体管输出型光电耦合器 9
4.2 光电双向晶闸管输出型光电耦合器或固态光继电器 10
5 具有电击防护功能的光电耦合器 11
5.1 概述 11
5.2 类型 11
5.3 额定值 11
5.4 电气安全要求 12
5.5 电气、环境和/或耐久性测试信息(补充信息) 13
6 光电耦合器的测试方法 19
6.1 电流传输比HF(ctr) 19
6.2 输入-输出电容CIO 20
6.3 输入-输出隔离电阻(RIO) 20
6.4 隔离试验 21
6.5 光电耦合器的局部放电 22
6.6 光电耦合器的集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 25
6.7 光电耦合器的开关时间ton,toff 27
6.8 峰值关断状态电流IDRM 28
6.9 峰值导通电压VTM 30
6.10 直流关断电流IBD 32
6.11 直流导通电压VT 33
6.12 维持电流IH 34
6.13 关断电压临界上升率dV/dt 34
6.14 输入触发电流 36
6.15 光电耦合器的共模瞬态抑制(CMTI)测试方法 37
7 光控双向闸流晶体管型耦合器的电额定值的测试方法 39
7.1 关断状态重复峰值电压VDRM 39
7.2 关断状态直流电压VBD 40
附录A(规范性) 输入/输出安全试验 41
A.1 目的 41
A.2 测试电路 41
A.3 电路描述 41
A.4 注意事项 41
A.5 测试步骤 41
A.6 规定条件 41
参考文献 42
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件是GB/T 15651的第5-5部分。GB/T 15651已经发布了以下部分:
---半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件(GB/T 15651-1995);
---半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性(GB/T 15651.2-
2003);
---半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法(GB/T 15651.3-2003);
---半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器(GB/T 15651.4-2017);
---半导体器件 第5-6部分:光电子器件 发光二极管(GB/T 15651.6-2023);
---半导体器件 第5-7部分:光电子器件 光电二极管和光电晶体管(GB/T 15651.7-2024)。
本文件等同采用IEC 60747-5-5:2020《半导体器件 第5-5部分:光电子器件 光电耦合器》。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
---范围中删除了注的内容,“optocoupler”与“photocoupler”的英文翻译成中文都是光电耦合器。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口。
本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第四十四研究所、威凯检测
技术有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、国网江苏省电力有限公司。
本文件主要起草人:刘秀娟、赵英、张佳宁、曹勇、崔波、龚磊、徐晓轶、刘东月、成先文、霍福广。
引 言
制定GB/T 15651系列的第5-5部分,为光电耦合器产品的测试、评价等提供适当的依据。
GB/T 15651系列的第5部分是半导体光电子器件的系列标准,主要规定了光电子器件的总体要
求、基本额定值和特性、测试方法、半导体激光器、光电耦合器、发光二极管、光电二极管和光电晶体管等
器件的技术要求、质量保证规定等内容,拟由以下几个部分构成。
---第5部分:光电子器件。目的在于给出半导体光发射器件、半导体光电探测器件、半导体光敏
元器件、内部工作机理与光辐射有关的半导体器件和分类型器件的标准。
---第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性。目的在于给出半导体光电子发射器件、半导体
光电探测器件、半导体光敏器件、内部进行光辐射工作的半导体器件及分类为光电子器件的基
本额定值和特性,用于光纤系统或子系统的除外。
---第5-3部分:光电子器件 测试方法。目的在于给出光电子器件的测试方法,用于光纤系统或
子系统的除外。
---第5-4部分:光电子器件 半导体激光器。目的在于规定半导体激光器的基本额定值、特性及
测试方法。
---第5-5部分:光电子器件 光电耦合器。目的在于规定光耦合器的术语、基本额定值、特性、安
全试验及测量方法。
---第5-6部分:光电子器件 发光二极管。目的在于规定发光二极管的术语、额定值和特性、测
试方法和质量评估方法。
---第5-7部分:光电子器件 光电二极管和光电晶体管。目的在于规定光电二极管和光电晶体
管的术语、基本额定值和特性以及测量方法。
半导体器件 第5-5部分:
光电子器件 光电耦合器
1 范围
本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
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2018,MOD)
注:GB 4943.1-2022被引用的内容与IEC 62368-1:2018被引用的内容没有技术上的差异。
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