路径: 主页 > GB/T > 第392页 > GB/T 20229-2022 | 标准编号 | GB/T 20229-2022 (GB/T20229-2022) | | 中文名称 | | | 英文名称 | Gallium phosphide single crystal | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 字数估计 | 11,160 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 20229-2022
Gallium phosphide single crystal
ICS 29.045
CCSH83
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 20229-2006
磷 化 镓 单 晶
2022-03-09发布
2022-10-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 20229-2006《磷化镓单晶》,与GB/T 20229-2006相比,除结构调整和编辑性
改动外,主要技术变化如下:
a) 更改了适用范围(见第1章,2006年版的第1章);
b) 增加了“术语和定义”一章(见第3章);
c) 更改了牌号的表示方法(见第4章,2006年版的3.1);
d) 更改了掺杂n型磷化镓单晶锭的载流子浓度、电阻率要求(见5.1.1,2006年版的3.2.2);
e) 增加了p型、半绝缘型磷化镓单晶锭的电学性能要求(见5.1.1);
f) 删除了磷化镓单晶锭直径的要求(见2006年版的3.2.4);
g) 增加了磷化镓单晶锭的位错密度要求(见5.1.3);
h) 删除了磷化镓单晶锭无孪晶线的要求(见2006年版的3.2.5);
i) 更改了磷化镓单晶研磨片位错密度的要求(见5.2.1,2006年版的3.3.2);
j) 增加了磷化镓单晶研磨片表面取向的要求(见5.2.2);
k) 更改了直径50.8mm磷化镓单晶研磨片的厚度及允许偏差要求(见5.2.3,2006年版的3.3.4);
l) 增加了磷化镓单晶研磨片几何参数中翘曲度、总厚度变化、总指示读数的要求(见5.2.3);
m) 增加了直径63.5mm、76.2mm磷化镓单晶研磨片的几何参数要求(见5.2.3);
n) 更改了磷化镓单晶研磨片表面质量的要求(见5.2.4,2006年版的3.3.3);
o) 更改了试验方法(见第6章,2006年版的第4章);
p) 更改了组批、检验项目、取样及检验结果的判定(见第7章,2006年版的第5章);
q) 更改了标志的要求(见8.1,2006年版的6.1);
r) 更改了包装的要求(见8.2,2006年版的6.2、6.3);
s) 更改了随行文件的要求(见8.5,2006年版的6.5);
t) 增加了订货单内容(见第9章);
u) 增加了规范性附录“磷化镓单晶位错密度的测试方法”(见附录A)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、有研国晶辉新材料有限公司、有色金属技
术经济研究院有限责任公司。
本文件主要起草人:孙聂枫、王阳、李晓岚、刘惠生、李素青、王书杰、邵会民、史艳磊、张路、许兴、
付莉杰、张晓丹、姜剑。
本文件于2006年首次发布,本次为第一次修订。
磷 化 镓 单 晶
1 范围
本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文
件及订货单内容。
本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
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