路径: 主页 > GB/T > 第740页 > GB/T 249-2026 | 标准编号 | GB/T 249-2026 (GB/T249-2026) | | 中文名称 | 半导体分立器件型号命名方法 | | 英文名称 | Rule of type designation for discrete semiconductor devices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 6,654 | | 发布日期 | 2026-02-27 | | 实施日期 | 2026-09-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 249-2017 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 249-2026: 半导体分立器件型号命名方法
ICS 31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 249-2017
半导体分立器件型号命名方法
2026-02-27发布
2026-09-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 249-2017《半导体分立器件型号命名方法》,与GB/T 249-2017相比,除结构
调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
a) 增加了碳化硅、氮化镓、金刚石等化合物半导体器件的命名方法(见表1);
b) 增加了ESD保护器件的命名(见表2);
c) 增加了IGB T的型号命名(见表2);
d) 增加了数字晶体管的命名(见表2)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术研究所、锦州辽晶电子科技股份有
限公司、山东芯诺电子科技股份有限公司、西安卫光科技有限公司、西安环宇芯微电子有限公司、国家国
防科技工业局军工项目审核中心、中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)。
本文件主要起草人:闫美存、张秋、马睿彤、曹燕红、高广亮、陈浩、麻欣、朱海马、裘国营、陈骞、
周建国、李娜、戴俊夫、田燕春、赵曜。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为:
---1964年首次发布为GB/T 249-1964,1974年第一次修订,1989年第二次修订,2017年第三次
修订;
---本次为第四次修订。
半导体分立器件型号命名方法
1 范围
本文件规定了半导体分立器件型号的命名方法。
本文件适用于各种半导体分立器件的型号命名。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 17573-2026 半导体器件 总则
3 术语和定义
GB/T 17573-2026界定的术语和定义适用于本文件。
4 型号组成原则
4.1 半导体分立器件的型号五个组成部分的基本意义如下:
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用汉语拼音字
母表示规格号
用阿拉伯数字表示登记顺序号
用汉语拼音字母表示器件的类别
用汉语拼音字母表示器件的材料和极性
用阿拉伯数字表示器件的电极数目
4.2 ......
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