标准搜索结果: 'GB/T 249-2017'
| 标准编号 | GB/T 249-2017 (GB/T249-2017) | | 中文名称 | 半导体分立器件型号命名方法 | | 英文名称 | The rule of type designation for discrete semiconductor devices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 5,526 | | 发布日期 | 2017-05-12 | | 实施日期 | 2017-12-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 249-1989 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。本标准适用于各种半导体分立器件。 | GB/T 249-2017
The rule of type designation for discrete semiconductor devices
ICS 31.080.01
L40
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 249-1989
半导体分立器件型号命名方法
2017-05-12发布
2017-12-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 249-1989《半导体分立器件型号命名方法》,与GB/T 249-1989相比主要技
术变化如下:
---混频管和检波管分别命名(见3.1,1989年版的3.1);
---二极管第二部分增加了符号E,代表化合物或合金材料(见3.1);
---增加了噪声管和限幅管的命名(见3.1);
---增加了晶体管阵列的命名(见3.2);
---“ZL”由代表整流管阵列改为代表二极管阵列(见3.2,1989年版的3.2);
---增加了肖特基二极管的命名(见3.2);
---增加了触发二极管的命名(见3.2)。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。
本标准主要起草人:陈海蓉、崔波、李丽霞。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 249-1964、GB/T 249-1974、GB/T 249-1989。
半导体分立器件型号命名方法
1 范围
本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。
本标准适用于各种半导体分立器件。
2 型号组成原则
2.1 半导体分立器件的型号五个组成部分的基本意义如下:
第一部分
用阿拉伯数字表示器件的电极数目
第二部分
用汉语拼音字母表示器件的材料和极性
第三部分
用汉语拼音字母表示器件的类别
第四部分
用阿拉伯数字表示登记顺序号
第五部分
用汉语拼音字母表示规格号
2.2 半导体分立器件的型号一般由第一部分到第五部分组成,也可以由第三部分到第五部分组成。
3 型号组成部分的符号及其意义
3.1 由第一部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表1。
表1 由第一部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用阿拉伯数字表
示器件的电极数
用汉语拼音字母表示
器件的材料和极性
用汉语拼音字母表示器件的类别
用阿拉伯
数字表示
登记顺序号
用汉语拼音
字母表示
规格号
符号 意义 符号 意义 符号 意义
2 二极管 A
N型,锗材料
P型,锗材料
N型,硅材料
P型,硅材料
化合物或合金
材料
......
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