路径: 主页 > GB/T > 第394页 > GB/T 34479-2017 | 标准编号 | GB/T 34479-2017 (GB/T34479-2017) | | 中文名称 | 硅片字母数字标志规范 | | 英文名称 | Specification for alphanumeric marking of silicon wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 14,116 | | 发布日期 | 2017-10-14 | | 实施日期 | 2018-07-01 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 34479-2017
Specification for alphanumeric marking of silicon wafers
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
硅片字母数字标志规范
2017-10-14发布
2018-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会 (SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位.有研半导体材料有限公司、浙江省硅材料质量检验中心。
本标准主要起草人.张静、孙燕、边永智、楼春兰。
硅片字母数字标志规范
1 范围
本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范,包括标志的形状和尺寸、字母数
字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。
本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。
注.字母数字标志及关联信息存入数据库,可被简单的自动光学字符读数(OCR)仪或人工进行独立、快速识别,确
保晶片制造商对晶片标记的一致性。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
字符间隔 characterseparation
任意字符的相邻边界之间的水平距离。
3.2
字符间距 characterspacing
相邻字符的字符中心线之间的水平距离。
3.3
字符倾斜度 characterskew
字符的基线与字符的窗口底部平行线之间的字符倾斜度。
3.4
Radj
同一行两个相邻字符的字符基线之间的垂直距离。
3.5
......
|