路径: 主页 > GB/T > 第394页 > GB/T 37051-2018 | 标准编号 | GB/T 37051-2018 (GB/T37051-2018) | | 中文名称 | 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法 | | 英文名称 | Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 9,977 | | 发布日期 | 2018-12-28 | | 实施日期 | 2019-04-01 | | 标准依据 | 国家标准公告2018年第17号 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 37051-2018
Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体
缺陷密度测定方法
2018-12-28发布
2019-04-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
目次
前言 Ⅰ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 方法概要 1
4 试剂和材料 1
5 仪器和设备 2
6 试样制备 2
7 测试步骤 2
8 数据处理 4
9 精密度 5
10 干扰因素 5
11 报告 6
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。
本标准起草单位:英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技
有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天
津英利新能源有限公司。
本标准主要起草人:李锋、李英叶、段青春、张伟、吴翠姑、冯亚彬、裴会川、程小娟、唐骏。
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体
缺陷密度测定方法
1 范围
本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法,包含方法概要、试剂和材料、仪器
和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。
本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 6379.2-2004 测量方法与结果的准确度(正确度和精密度) 第2部分:确定标准测量方
法重复性与再现性的基本方法
GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
GB/T 29054 太阳能级铸造多晶硅块
GB/T 29055 太阳电池用多晶硅片
3 方法概要
用硝酸、氢氟酸混合液对硅片表面进行化学抛光,再使用重铬酸钾、氢氟酸混合液腐蚀硅片,硅晶体
缺陷被优先腐蚀,使用显微镜观察试样腐蚀表面,可观察到硅片的晶体缺陷特征并对缺陷计数。
通过对不同位置的硅锭取样硅片样片,测量得到不同部位硅片样片的晶体缺陷密度,其最终结果可
以表征硅锭的晶体缺陷密度。
4 试剂和材料
4.1 重铬酸钾:分析纯。
4.2 氢氟酸:质量分数40%,电子级。
4.3 硝酸:质量分数65%,电子级。
4.4 化学腐蚀抛光液:V氢氟酸∶V硝酸=1∶4。
4.5 去离子水:电导率小于或等于1μS/cm。
4.6 无水乙醇:密度0.79g/mL,分析纯。
4.7 重铬酸钾溶液:质量浓度44g/L。称取44g重铬酸钾置于烧杯中,用去离子水完全溶解后,移入......
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