| 标准编号 | GB/T 4058-2009 (GB/T4058-2009) |
| 中文名称 | 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 |
| 英文名称 | Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H80 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 19,184 |
| 发布日期 | 2009-10-30 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 4058-1995 |
| 引用标准 | GB/T 1554; GB/T 14264; YS/T 209 |
| 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。 |