标准搜索结果: 'GB/T 6616-2023'
| 标准编号 | GB/T 6616-2023 (GB/T6616-2023) | | 中文名称 | 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 | | 英文名称 | Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films - Noncontact eddy-current gauge | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 14,123 | | 发布日期 | 2023-08-06 | | 实施日期 | 2024-03-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 6616-2009 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 6616-2023: 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
ICS 77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 6616-2009
半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层
电阻的测试 非接触涡流法
semiconductorfilms-Noncontacteddy-currentgauge
2023-08-06发布
2024-03-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 6616-2009《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》,
与GB/T 6616-2009相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
a) 更改了范围(见第1章,2009年版的第1章);
b) 更改了干扰因素(见第5章,2009版的第5章);
c) 更改了试验条件(见第6章,2009年版的6.1);
d) 更改了标准片和参考片的要求(见8.1、8.2、8.3,2009年版的4.2);
e) 增加了样品的要求(见8.4、8.5、8.6);
f) 更改了试验步骤(见第9章,2009年版的第6章);
g) 更改了精密度(见第10章,2009年版的第7章);
h) 增加了硅单晶电阻率温度系数(见附录A)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公
司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、北京
通美晶体技术股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、北京天
科合达半导体股份有限公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、浙江旭盛电子有限公司、浙江中晶
科技股份有限公司、昆山海菲曼科技集团有限公司。
本文件主要起草人:何烜坤、刘立娜、李素青、张颖、马春喜、张海英、潘金平、丁雄杰、任殿胜、
王元立、朱晓彤、张雪囡、佘宗静、齐斐、许蓉、李明达、詹玉峰、黄笑容、边仿。
本文件于1995年首次发布,2009年第一次修订,本次为第二次修订。
半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层
电阻的测试 非接触涡流法
1 范围
本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0mm、厚度为0.1mm~1.0mm的硅、导电型砷化镓、导
电型碳化硅单晶片的电阻率,以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1000倍的薄膜薄层的电阻。单
晶片电阻率的测试范围为0.001Ω·cm~200Ω·cm,薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103Ω/□~
3.0×103Ω/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中,但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 25915.1-2021 洁净室及相关受控环境 第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度等级
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 原理
将晶片平插入一对共轴涡流探头(涡流传感器)之间的固定间隙内,与振荡回路相连接的两个涡流
探头之间的交变磁场在晶片上感应产生涡流,激励电流的变化是晶片电导的函数。通过测试激励电流
的变化即可测得晶片的电导率。晶片的薄层电阻(Rs)按公式(1)进行计算。
Rs=ρt =
G =
δt
(1)
式中:
Rs---......
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