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| 标准编号 | GB/T 6621-2009 (GB/T6621-2009) | | 中文名称 | 硅片表面平整度测试方法 | | 英文名称 | Testing methods for surface flatness of silicon slices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 6,638 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 6621-1995 | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法, 切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm, 电阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。 | GB/T 6621-2009
Testing methods for surface flatness of silicon slices
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T ６６２１-２００９
代替GB/T ６６２１-１９９５
硅片表面平整度测试方法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准代替GB/T ６６２１-１９９５《硅抛光片表面平整度测试方法》。
本标准与GB/T ６６２１-１９９５相比，主要变动如下：
---将名称修改为“硅片表面平整度测试方法”；
---去掉了目前较少采用的干涉法，只保留了目前常用的电容法；
---增加“引用标准”；
---对“方法提要”、“仪器装置”、“测量程序”、“计算”进行了全面修改；
---经实验重新确定了精密度；
---在第一章增加本标准适用的试样范围；
---在“试样”一章中说明对所测试样的要求。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准主要起草单位：上海合晶硅材料有限公司。
本标准主要起草人：徐新华、严世权、王珍。
本标准所替代标准的历次版本发布情况为：
---GB/T ６６２１-１９８６、GB/T ６６２１-１９９５。
GB/T ６６２１-２００９
硅片表面平整度测试方法
１ 范围
本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法，切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此
方法。
本标准适用于测量标准直径７６ｍｍ、１００ｍｍ、１２５ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ，电阻率不大于２００Ω·ｃｍ
厚度不大于１０００μｍ的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
２ 方法概述
２．１ 将硅片平放入一对同轴对置的电容位移传感器（简称探头）之间，对探头施加一高频电压，硅片与
探头之间便形成了高频电场，其间各形成了一个电容。探头中电路测量其间电流变化量，便可测得该电
容值C。如图１所示。C由式（１）给出：
D---Ａ，Ｂ探头间距离；
犪---Ａ探头与上表面距离；
犫---Ｂ探头与下表面距离；
图１ 电容位移传感器测量方法示意图
C＝K
·A
犪＋犫＋
C０ （１）
式中：
C---在上、下探头和硅片表面之间所测得总电容值，单位为法拉（Ｆ）；
K---自由空间介电常数，单位为法拉每米Ｆ／ｍ；
A---探头表面积，单位为平方米（ｍ２）；
犪---Ａ探头与上表面距离，单位为米（ｍ）；
犫---Ｂ探头与下表面距离，单位为米（ｍ）；
C０---主要由探头结构而产生的寄生电容，单位为法拉（Ｆ）。
２．２ 由于在测量时，两探头之间的距离D和下探头到下表面的距离犫已经在校准时被固......
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