路径: 主页 > GB > 第63页 > GBZ43510-2023 | 标准编号 | GB/Z 43510-2023 (GB/Z43510-2023) | | 中文名称 | 集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南 | | 英文名称 | Integrated circuit TSV 3D packaging reliability test methods guideline | | 行业 | 国家标准 | | 中标分类 | L55 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 10,172 | | 发布日期 | 2023-12-28 | | 实施日期 | 2024-04-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/Z 43510-2023: 集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南
ICS 31.200
CCSL55
中华人民共和国国家标准化指导性技术文件
集成电路TSV三维封装可靠性
试验方法指南
2023-12-28发布
2024-04-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、电子科技大学、华进半导体封装先导技术研发中心
有限公司、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所、工业和信息化部电子第五研究所、中国
科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所。
本文件主要起草人:李锟、彭博、肖克来提、吴道伟、周斌、高见头、李文昌。
集成电路TSV三维封装可靠性
试验方法指南
1 范围
本文件提供了硅通孔(TSV)三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南。
本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的 TSV三维封装的工艺验证
试验。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 4937.4 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)
GB/T 4937.11 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液槽法
GB/T 4937.20 半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊
接热综合影响
GB/T 4937.23 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分:高温工作寿命
GB/T 4937.30 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分:非密封表面安装器件在可靠性
试验前的预处理
GB/T 4937.42 半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分:温湿度贮存
GB/T 12750 半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)
IEC 60749-5 半导体器件 机械和气候试验方法 第5部分:稳态温度湿度偏置寿命试验(Semi-
biaslifetest)
ance-UnbiasedHAST)
IEC 60749-29 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分:闩锁试验(Semicon......
|