路径: 主页 > JJ > 第14页 > JJF 1760-2019 | 标准编号 | JJF 1760-2019 (JJF1760-2019) | | 中文名称 | 硅单晶电阻率标准样片校准规范 | | 英文名称 | Calibration Specification for Standard Slices of Single Crystal Silicon Resistivity | | 行业 | 计量行业标准 | | 中标分类 | A56 | | 国际标准分类 | 17.220 | | 字数估计 | 24,228 | | 发布日期 | 2019 | | 实施日期 | 2020-03-27 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局 | JJF 1760-2019
Calibration Specification for Standard Slices of Single Crystal Silicon Resistivity
中华人民共和国国家计量技术规范
硅单晶电阻率标准样片校准规范
2019-09-27发布
2020-03-27实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 发 布
硅单晶电阻率标准样片
校准规范
代替JJG48-2004
归 口 单 位:全国无线电计量技术委员会
主要起草单位:中国计量科学研究院
参加起草单位:福建省计量科学研究院
本规范委托全国无线电计量技术委员会负责解释
本规范主要起草人:
高 英 (中国计量科学研究院)
李兰兰 (中国计量科学研究院)
参加起草人:
罗海燕 (福建省计量科学研究院)
杨爱军 (福建省计量科学研究院)
目 录
引言 (Ⅱ)
1 范围 (1)
2 引用文件 (1)
3 术语和计量单位 (1)
3.1 电阻率 (1)
3.2 厚度 (1)
3.3 直径 (1)
3.4 薄层电阻 (1)
3.5 导电类型 (1)
3.6 四探针 (1)
3.7 局部径向电阻率均匀性 (1)
4 概述 (2)
5 计量特性 (2)
5.1 标准样片电阻率的测量范围 (2)
5.2 标准样片的电阻率标称值 (2)
5.3 标准样片应具备的参数及性能要求 (2)
6 校准条件 (3)
6.1 环境条件 (3)
6.2 校准用设备 (3)
7 校准项目和校准方法 (3)
7.1 校准项目 (3)
7.2 外观检查 (4)
7.3 导电类型判别 (4)
7.4 直径测量 (4)
7.5 厚度测量 (4)
7.6 电阻率或薄层电阻测量 (5)
7.7 局部径向电阻率均匀性测量 (6)
8 校准结果表达 (7)
9 复校时间间隔 (7)
附录A 原始记录格式 (8)
附录B 校准证书内页格式 (10)
附录C 主要项目校准不确定度评定示例 (11)
附录D 标准样片厚度修正系数表 (16)
附录E 标准样片直径修正系数 (17)
附录F 标准样片电阻率温度系数表 (18)
引 言
本规范依据JJF1071-2010 《国家计量校准规范编写规则》和JJF1059.1-2012
《测量不确定度评定与表示》编写。
本规范代替JJG48-2004 《硅单晶电阻率标准样片》,与JJG48-2004相比,除编
辑性修改外,主要技术变化如下:
---增加了引言、引用文件、术语和计量单位;
---删除了硅单晶电阻率标准样片的级别分类;
---删除了硅单晶电阻率标准样片的清洗方法;
---修改了电阻率的测量范围,由原来的0.005Ω·cm~5000Ω·cm 改为
0.003Ω·cm~1000Ω·cm;
---修改了硅单晶电阻率标准样片直径的校准方法;
---修改了硅单晶电阻率标准样片厚度的校准方法;
---修改了硅单晶电阻率标准样片径向电阻率均匀性的校准方法。
本规范的历次版本发布情况:
---JJG48-2004;
---JJG48-1990。
硅单晶电阻率标准样片校准规范
1 范围
本规范适用于电阻率在0.003Ω·cm~1000Ω·cm之间的硅单晶电阻率标准样片
的校准。
2 引用文件
本规范引用了下列文件:
JJG508-2004 四探针电阻率测试仪
GB/T 14264 半导体材料术语
凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本规范;凡是不注日期的引用文
件,其最新版本 (包括所有的修改单)适用于本规范。
3 术语和计量单位
3.1 电阻率 resistivity
荷电载体通过材料受阻程度的一种量度。电阻率是电导率的倒数。符号为ρ,单位
为 Ω·cm。
3.2 厚度 thickness
通过晶片上一给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。通常以晶片几何中心的厚度
为该晶片的标称厚度。单位为μm。
3.3 直径 diameter
横穿圆片表面,通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交直线的长
度。单位为 mm。
3.4 薄层电阻 sheetresistance
半导体或薄金属膜的薄层电阻,与电流平行的电势梯度对电流密度和厚度乘积的
比。又称方块电阻。符号为Rs,单位为Ω/□。
3.5 导电类型 conductivitytype
半导......
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