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[PDF] NB/T 20019-2010 - 自动发货. 英文版

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NB/T 20019-2010 英文版 220 NB/T 20019-2010 3分钟内自动发货[PDF],有增值税发票。 核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件老化筛选和降额使用规定 有效

基本信息
标准编号 NB/T 20019-2010 (NB/T20019-2010)
中文名称 核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件老化筛选和降额使用规定
英文名称 Ageing, screening, and derating rules of electronic elements and devices in safety class instrument and control equipment of nuclear power plants
行业 能源行业标准 (推荐)
中标分类 F81
国际标准分类 27.120.99
字数估计 15,151
发布日期 2010-05-01
实施日期 2010-10-01
旧标准 (被替代) EJ/T 504-1990
引用标准 GB/T 2423.2-2001; GB/T 2423.22-2002; GJB 63B-2001; GJB 128A-2001; GJB 360A-1996; GJB 548A-1996; GJB 733A-1996; GJB 972A-2002; GJB/Z 35-1993
起草单位 上海核工程研究设计院
归口单位 核工业标准化研究所
标准依据 国家能源局公告2010年第1号;行业标准备案公告2010年第7号(总第127号)
范围 本标准规定了对核山厂安全级仪表和控制设备中电子元器件进行老化筛选和降额使用时的技术要求。本标准适用于核电厂安全级仪表和控制设备的电子元器件老化筛选及降额使用, 也可供其它安全级电气设备的电子元器件老化筛选及降额使用时参照或参考使用。

NB/T 20019-2010: 核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件老化筛选和降额使用规定
NB/T 20019-2010 英文名称: Ageing, screening, and derating rules of electronic elements and devices in safety class instrument and control equipment of nuclear power plants
备案号:29117-2010
中 华 人 民 共 和 国 能 源 行 业 标 准
NB/T 20019- 2010
代替 EJ/T 504-1990
核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件
老化筛选和降额使用规定
国家能源局发布
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替EJ/T 504-1990《三十万千瓦压水堆核电厂安全级电子元器件老化筛选和降额适用规
定》,与EJ/T 504-1990相比,主要技术变化如下:
修改了适用范围;
-增加了规范性使用文件;
-增加了术语和定义;
-明确了电子元器件老化筛选顺序;
-增加了在老化筛选试验前后对元器件进行外观检查的要求;
-增加了老化筛选合格性准则;
-在电子元器件老化筛选项目中取消了“湿热贮存”试验,增加了“高温反偏”试验;
-增加了晶体管、光电器件、模拟集成电路、数字集成电路、电位器、电容器的降额使用规定。
本标准由中国核工业集团公司提出。
本标准由核工业标准化研究所归口。
本标准起草单位:上海核工程研究设计院,中科华核电技术研究院有限公司北京分院。
本标准主要起草人:李美儒、曹梅新、邱建文、马象睿、耿文行。
核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件老化筛选和降额使用规定
1 范围
本标准规定了对核电厂安全级仪表和控制设备中电子元器件进行老化筛选和降额使用时的技术要
求。
本标准适用于核电厂安全级仪表和控制设备的电子元器件老化筛选及降额使用,也可供其它安全级
电气设备的电子元器件老化筛选及降额使用时参照或参考使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423.2-2001 电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验B: 高温
GB/T 2423.22-2002 电工电子产品环境试验第22部分:试验方法试验N: 温度变化
GJB 63B-2001 有可靠性指标的固体电解质钽固定电容器总规范
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
GJB 548A-1996 微电子器件试验方法和程序
GJB 733A-1996 有可靠性指标的非固体电解质钽固定电容器总规范
GJB 972A-2002 有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范
GJB/Z 35-1993 元器件降额准则
4 老化筛选顺序和项目
对仪表和控制设备用电子元器件进行老化筛选的目的是为了在设备制造前暴露和发现在早期运行
时出现的潜在的电子元器件缺陷,剔除有缺陷的元器件,以保证设备的质量。
对电子元器件的一般老化筛选顺序是:
a) 外观检查;
b) 常温测试;
c) 高温贮存;
d) 温度循环;
e) 常温测试;
f) 功率老炼;
g) 常温测试;
h) 高温反偏;
i) 外观检查;
j) 最终测试;
k) 打印标记。
对不同元器件的具体老化筛选项目,见表1。
5 老化筛选条件和方法
5.1 老化筛选前提条件
对元器件进行老化筛选的前提条件是:
-元器件具有产品合格证书或相应的技术资料;
-对元器件进行检查和测试,其参数符合产品规范要求。
5.2 外观检查
5.2.1 概述
在对元器件进行老化筛选试验前和试验后应进行外观检查。
在对元器件进行外观初查或外观复查时,用目视或用适度的放大镜对元器件进行外观检查。
5.2.2 半导体分立器件
对半导体分立器件应检查:
a) 产品的外引线或管脚不应有机械损伤、断裂、锈蚀等现象;
b) 产品的主体不应有变形、颈缩、严重掉漆、开裂等现象;
c) 产品型号、极性(二极管)等标志应清楚、正确。
5.2.3 集成电路
对集成电路应检查:
a) 电路表面不应有污讀、锈蚀、镀层起泡脱落等损伤;
b) 电路壳体不应有变形、碎裂,引线不应有机械损伤、锈蚀等现象;
c) 电路的型号等标志应清楚、正确。
5.2.4 电阻器、电容器、电位器
对电阻器、电容器、电位器等应检查:
a) 产品的主体不应有变形、破损,引线不应有损伤、断裂、锈蚀等现象;
b) 产品型号、极性(电容器)等标志应清楚、正确。
5 .3 高温贮存
对半导体分立器件和集成电路,应择行高温贮存试验。
将拆除包装的元器件置于高温试验中,在规定的贮存温度下ii续存放规定的时间,然后取出置于
试验室正常环境温度下恢复至室温。
对不同元器件的贮存温度和贮存时伺等试验条件见表1,试验方I法按GB/T 2423.2-2001中试验Bb
执行。
试验箱内所存放元器件的总体积不应大于高温试验箱容积的20%。
5 .4 温度循环 ”
对半导体分立器件、集成电路、电阻、屯位器、电容器和电感器,应进行温度循环试验。
将拆除包装的元器件置于低温试验箱(低温试验区)中,在规定的低温下存放30min,再取出放到
高温试验箱(高温试验区)中,在规定的高温下存放30min,至此完成一个循环。
对不同元器件的高温值、低温值和循环次数等试验条件的规定见表1,试验方法按GB/T
2423.22-2002中试验Na执行。
必要时,对分立元器件的试验方法见GJB 128A-1997中方法1051,对半导体集成电路和混合集成电
路的试验方法见GJB 548A-1996中方法1010A,对电容、电阻、电位器的试验方法见GJB 360A-1996中方
法107。
试验时温度试验箱内所存放元器件的总体积不应大于试验箱容积的20%。
5 .5 功率老炼
对半导体分立器件(场效应管除外)、集成电路应进行功率老炼试验,对电容器应进行高温电老炼
试验。
功率老炼试验是指对不同元器件按照本条和表1规定的温度条件、负荷条件和时间对元器件进行的
老炼试验。对分立元器件(二极管、三极管、场效应管等)的具体试验方法见GJB 128A-1997中方法1038、
1039、1040、1042,对半导体集成电路、混合集成电路的具体试验方法见GJB 548A-1996中方法1015,
对电容的具体试验方法见GJB 733A-1996、GJB 63B-2001、GJB 972A-2002。
具体的老炼参数如下:
a) 温度:
1) 对二极管、三极管、场效应管,在实验室正常环境温度下进行老炼;
2) 对光电器件、晶闸管、半导体集成电路、混合集成电路、电容器等的老炼温度见表 1。
b) 负荷,各种元器件的老炼负荷条件见表 1;
c) 老炼时间,对不同元器件要求的老炼时间见表 1。
对二极管、三极管、场效应管应进行高温反偏试验。反偏试验的温度条件、电压条件和时间见表1,
对二极管的具体试验方法见GJB 128A-1997中方法1038, 对三极管和小功率场效应管的具体试验方法见
GJB 128A-1997中方法1039,对大功率场效应管的具体试验方法见GJB 128A-1997中方法1042。
5 .7 测试
在正常大气条件(即实验室正常环境条件)下,按产品规范或协议,对元器件的电参数进行常温测
试。
在按照第4章中规定的老化筛选顺序完成相应的老化筛选试验后,在实验室正常环境条件下恢复lh,
再对元器件逐个 (100% ) 按产品规范或设计要求进行电参数的最终测试。
5 .8 标识
对经过老化筛选的元器件,应按相关文件规定进行标识。
6 老化筛选合格性准则
6.1 当元器件在老化筛选过程中或最终测试出现功能性失效、并经分析认为具有批次性时,应判定为
批次不合格。
6.2 当最终测试的不合格率大于10%或单项试验不合格率大于5%时(送交老化筛选的数量大于20
只),可判定为批次不合格。
6.3 对于送交老化筛选的数量较少(少于20只)的批次,可针对不合格品的分布情况进行具体分析,
并确定处理意见。
7 元器件降额使用规定
7 .1 概述
为延缓电子元器件参数退化,提高元器件在安全级仪表和控制电路中使用的可靠性,在选用元器件
参数时采取降额使用,留有适当余量。
在安全级仪表和控制电路中元器件降额使用见GJB/Z 35-1993中对地面保障设备的降额( II级和III
级)规定,具体可按7.2-7.10规定执行。
7 .2 二极管
二极管降额使用规定如下:
a) 反向电压为反向峰值工作电压的 70%-80%;
b) 工作电流为最大正向平均电流的 65%-80%;
c) 功率为最大允许功率的 65%-80%。
7 .3 晶体管
晶体管降额使用规定如下:
a) 反向电压为额定反向电压的60%-70%;
b) 工作电流为额定电流值的 70%-80%; .
c) 功率为额定功率的 65%-75%。
7 .4 光电器件
光电器件降额使用规定如下:
a) 电压为额定电压的 70%-80%;
b) 工作电流为额定电流的65%-80%。
7.5 晶间管
晶闸管降额使用规定如下:
a) 电压为额定电压的 70%?80%;
b) 工作电流为额定平均通态电流的65%
7 .6 模拟集成电路
模拟集成电路降额使用规定如下:
a) 电源电压小于额定值乘以降额因子;
b) 输入电压小于额定值乘以降輝因子;
c) 输入输出电压差小于额定值
以降额因
d) 输出电流小于额定值乘以降额因子;
e) 功率小于最大允许值乘以降额因子。
各种模拟集成电路对应于不同降额参数的降额因子见表2。
7 .7 数字集成电路
数字集成电路降额使用规定如下:
a) 双极型数字电路电源电压须稳定,其容差范围为:±5%或按相关规范要求;
b) 双极型数字电路的频率小于额定值的 90%
c) 双极型数字电路的输出电流n小于额定值的 90%;
d) M0S型数字电路的电源电压2)小于额定值的 80%;
e) M0S型数字电路的频率为额定值的 80%-90%;
f) M0S 型数字电路的输出电流3>小于额定值的 90%。
7 .8 电阻
电阻降额使用规定如下:
a) 施加于各种电阻器的电压小于最大工作电压的 75%;
b) 合成型、薄膜型电阻器及电阻网络的功率为额定功率的 60%-70%;
1) 输出电流降额将使扇出减少,可能导致使用器件的数量增加,反而使设备的预计可靠性下降。降额时应防止这
种情况发生。
2) 电源电压降额后不应小于推荐的正常工作电压;输入电压在任何情况下不得超过电源电压。
3) 仅适用于缓冲器和触发器。
c) 功率型线绕电阻器的功率为额定功率的 60%-70%;
d......
   
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