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收录标准: 222414 (2026-05-15)
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> SJ 20011-1992
[PDF] SJ 20011-1992 - 英文版
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标准名称
状态
SJ 20011-1992
英文版
279
SJ 20011-1992
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半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
基本信息
标准编号
SJ 20011-1992 (SJ20011-1992)
中文名称
半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
英文名称
Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS1 GP, GT and GCT classes
行业
电子行业标准
中标分类
L44
字数估计
8,886
发布日期
2/1/1992
实施日期
5/1/1992
引用标准
GB 4586-1984; GB 7581-1987; GJB 33-1985; GJB 128-1986
范围
本规范规定了CSl型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求, 该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定, 提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
......
英文网页English:
SJ 20011-1992
相关标准:
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SJ/T 11281
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