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[PDF] SJ 20013-1992 - 英文版

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SJ 20013-1992 英文版 349 SJ 20013-1992 [PDF]天数 >=3 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
基本信息
标准编号 SJ 20013-1992 (SJ20013-1992)
中文名称 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
英文名称 Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS10 GP, GT and GCT classes
行业 电子行业标准
中标分类 L44
字数估计 10,151
发布日期 2/1/1992
实施日期 5/1/1992
引用标准 GB 4586-1984; GB 7581-1987
范围 本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求, 该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定, 提使产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。

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英文网页English: SJ 20013-1992

相关标准: SJ/T 11141 | SJ/T 9014.8.2 | SJ/T 11141 | SJ/T 11281 |