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[PDF] SJ 20176-1992 - 英文版

标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	状态
SJ 20176-1992	英文版	459	SJ 20176-1992	[PDF]天数 >=3	半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范

基本信息
标准编号	SJ 20176-1992 (SJ20176-1992)
中文名称	半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
英文名称	Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of types 3DG3499 and 3DG3440
行业	电子行业标准
中标分类	L40
字数估计	13,145
发布日期	11/19/1992
实施日期	5/1/1993
引用标准	GB 4587-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
范围	本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定, 提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

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