路径: 主页 > YS/T > 第20页 > YS/T 23-2016 | 标准编号 | YS/T 23-2016 (YS/T23-2016) | | 中文名称 | 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法 | | 英文名称 | Test method for thickness of epitaxial layers - Stacking fault size | | 行业 | 有色冶金行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 7,729 | | 发布日期 | 2016-04-05 | | 实施日期 | 2016-09-01 | | 旧标准 (被替代) | YS/T 23-1992 | | 标准依据 | 工信部公告2016年第17号;行业标准备案公告2016年第6号;工业和信息化部公告2017年第23号 | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。 | YS/T 23-2016
Test method for thickness of epitaxial layers-Stacking fault size
ICS 77.040
H21
中华人民共和国有色金属行业标准
代替YS/T 23-1992
硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
2016-04-05发布
2016-09-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替YS/T 23-1992《硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法》。本标准与YS/T 23-1992相
比,主要变动如下.
---增加了“术语和定义”“干扰因素”(见第3章、第5章);
---删除了非破坏性测试方法;
---在第6章中增加了无铬腐蚀液B的配制(见6.9);
---修改了第7章测量仪器中的显微镜并去掉了测微标尺;
---在第8章中增加了试样制备方法二(见8.3);
---修改了第9章测量步骤;
---修改了测量结果的计算公式,用显微镜图像处理技术的结果替代边长计算;
---增加了外延层厚度T和堆垛层错图形边长L 的关系(见附录A)。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准起草单位.南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司。
本标准主要起草人.马林宝、杨帆、葛华、刘小青、孙燕、徐新华。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为.
---YS/T 23-1992。
硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
1 范围
本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。
本标准适用于在< 111 >、< 100 >和< 110 >晶向的硅单晶衬底上生长的2μm~120μm硅外延层厚度的
测量。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法提要
外延层中存在着生长完整的堆垛层错,经化学腐蚀后可用干涉显微镜观察。在< 111 >、< 100 >、< 110 >
三种低指数晶向的硅单晶衬底上生长的外延层中,生长完全的堆垛层错分别在外延层表面上呈现封闭
的等边三角形、正方形和等腰三角形。由于硅单晶衬底有一定的晶向偏离,实际观察到的堆垛层错的图
形会稍有变形。对上述三种低指数晶向的外延片,外延层厚度T和堆垛层错图形边长L 的关系(相互关
系参见附录A)如表1所述。
表1 外延层厚度T和堆垛层错图形边长L的关系
衬底取向 < 111 > < 100 > < 110 >
层错图形
等边......
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