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[PDF] YS/T 679-2018 - 英文版

标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	状态
YS/T 679-2018	英文版	599	YS/T 679-2018	[PDF]天数 >=5	非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法	有效

基本信息
标准编号	YS/T 679-2018 (YS/T679-2018)
中文名称	非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法
英文名称	Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors. Surface photovoltage method
行业	有色冶金行业标准 (推荐)
中标分类	H21
国际标准分类	77.040
字数估计	26,256
发布日期	2018-10-22
实施日期	2019-04-01
旧标准 (被替代)	YS/T 679-2008
引用标准	GB/T 1551; GB/T 1553; GB/T 6616; GB/T 6618; GB/T 6624; GB/T 11446.1-2013; GB/T 14264; GB/T 14847; SEMI MF391-0310
标准依据	工业和信息化部公告2018年第54号
发布机构	工业和信息化部
范围	本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法，包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。本标准适用于非本征半导体材料，如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试，测试样品(外延层)的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定，但已对电阻率0.1 Ω·cm～50 Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过测试扩散长度后计算出硅中的铁含量，具体见附录A。本标准也可用于测试其

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