路径: 主页 > YS/T > 第14页 > YS/T 936-2013 | 标准编号 | YS/T 936-2013 (YS/T936-2013) | | 中文名称 | 集成电路器件用镍钒合金靶材 | | 英文名称 | Sputtering nickel vanadium alloy target used in integrated circuit device | | 行业 | 有色冶金行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H62 | | 国际标准分类 | 77.150.40 | | 字数估计 | 16,165 | | 引用标准 | GB/T 1031; GB/T 6394; GB/T 14265; GJB 1580A; YS/T 837 | | 标准依据 | 工业和信息化部公告2013年第52号;行业标准备案公告2014年第1号(总第169号) | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了集成电路器件用镍钒合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同或订货单内容。本标准适用于电子薄膜制造用的各类镍钒合金溅射靶材。 | YS/T 936-2013
Sputtering nickel vanadium alloy target used in integrated circuit device
ICS 77.150.40
H62
中华人民共和国有色金属行业标准
集成电路器件用镍钒合金靶材
2013-10-17发布
2014-03-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员(SAC/TC243)归口。
本标准负责起草单位:有研亿金新材料股份有限公司。
本标准参加起草单位:北京有色金属研究总院、宁波江丰电子材料股份有限公司、中国有色金属工
业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:董亭义、何金江、刘红宾、张涛、姚力军、王学泽、向磊、徐学礼、朱晓光、丁照崇、
吕超、雷继峰、熊晓东、张殿凯、李娜。
集成电路器件用镍钒合金靶材
1 范围
本标准规定了集成电路器件用镍钒合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、
贮存、质量证明书及合同或订货单内容。
本标准适用于电子薄膜制造用的各类镍钒合金溅射靶材。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1031 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值
GB/T 6394 金属平均晶粒度测定法
GB/T 14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则
GJB1580A 变形金属超声检验方法
YS/T 837 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
靶材 target
溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式
脱离阴极而在阳极表面沉积。
3.2
靶坯 targetblank
阴极上用作目标材料的部分。
3.3
背板 backingplate
用来支撑或固定靶坯的......
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