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| 标准编号 | GB/T 11071-2018 (GB/T11071-2018) | | 中文名称 | 区熔锗锭 | | 英文名称 | Zone-refined germanium ingot | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H66 | | 国际标准分类 | 77.150 | | 字数估计 | 10,175 | | 发布日期 | 2018-12-28 | | 实施日期 | 2019-07-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 11071-2006 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 11071-2018
Zone--refined germanium ingot
ICS 77.150
H66
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 11071-2006
区 熔 锗 锭
2018-12-28发布
2019-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 11071-2006《区熔锗锭》,与GB/T 11071-2006相比,除编辑性修改外主要技
术变化如下:
---范围进一步明确为“本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料,经区熔提纯工艺制备得到
的区熔锗锭。ZGe-0区熔锗锭主要用于制备半导体及高纯锗探测器用的高纯锗单晶;ZGe-1
区熔锗锭主要用于制备红外光学用的锗单晶、太阳能电池用的锗单晶及各类锗-铬、锗-硅合金
等”(见第1章)。
---增加了区熔锗锭在(23±0.5)℃下电阻率的要求(见3.2)。
---“同一根锗锭的最大与最小截面面积之差不大于平均截面面积的15%”修改为“同一根区熔锗
锭的头尾两端的高度差不大于4mm”(见3.3,2006年版的3.3)。
---“锭长100mm~500mm”修订为“长度应不小于100mm”(见3.3,2006年版的3.3)。
---增加了区熔锗锭的表面应无孔洞的要求(见3.4,2006版的3.4)。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本标准起草单位:云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司、中锗科技有限
公司、衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司、广东先导稀材股份有限公司、锡林郭勒通力锗业有限责任公
司、云南东昌金属加工有限公司。
本标准主要起草人:包文东、普世坤、李贺成、冯德伸、惠峰、范德胜、朱知国、李正美、董汝昆、朱刘、
尹士平、王晓华。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 11071-1989、GB/T 11071-2006。
区 熔 锗 锭
1 范围
本标准规定了区熔锗锭的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单
(或合同)内容。
本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料,经区熔提纯工艺制备得到的区熔锗锭。ZGe-0区
熔锗锭主要用于制备半导体及高纯锗探测器用的高纯锗单晶;ZGe-1区熔锗锭主要用于制备红外光学
和太阳能电池用的锗单晶及各类锗-铬、锗-硅合金等。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
YS/T 602 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
3 要求
3.1 产品分类
区熔锗锭按电学性能分为两个牌号:ZGe-0、ZGe-1。
ZGe-
表示区熔锗锭
阿拉伯数字,表示产品等级
3.2 电学性能
区熔锗锭的电学性能应符合表1的规定。电阻率可选择采用在20℃或23℃的条件下进行测试,
并满足表1的规定。
表1 电学性能
牌号
电阻率/(Ω·cm) 检测单晶的参数(77K)
(20±0.5)℃ (23±0.5)℃
载流子浓度
cm-3
载流子迁移率
cm-3/(V·S)
ZGe-0 ≥50 ≥47 ......
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