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GB/T 11297.7-1989 相关标准英文版PDF

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GB/T 11297.7-1989 英文版 809 GB/T 11297.7-1989 [PDF]天数 <=4 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 GB/T 11297.7-1989
基本信息
标准编号 GB/T 11297.7-1989 (GB/T11297.7-1989)
中文名称 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
英文名称 Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 L90
国际标准分类 29.040.01
字数估计 23,214
发布日期 3/31/1989
实施日期 1/1/1990
范围 本标准适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。本标准所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的, 在特定位置上施加电极接触, 用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数, 而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。本标准适用于电阻率lO^-3~10^2Ω·cm的锑化铟单晶样品。

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英文网页English: GB/T 11297.7-1989

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