搜索结果: GB/T 15651.7-2024, GB/T15651.7-2024, GBT 15651.7-2024, GBT15651.7-2024
| 标准编号 | GB/T 15651.7-2024 (GB/T15651.7-2024) | | 中文名称 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | | 英文名称 | Semiconductor devices -- Part 5-7: Optoelectronic devices -- Photodiodes and phototransistors | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L53 | | 国际标准分类 | 31.260 | | 字数估计 | 22,239 | | 发布日期 | 2024-03-15 | | 实施日期 | 2024-07-01 | | 起草单位 | 中国电子技术标准化研究院、厦门市产品质量监督检验院、惠州仲恺高新区LED品牌发展促进会、浙江智菱科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、厦门华联电子股份有限公司、中国光学光电子行业协会、四川华体照明科技股份有限公司、北京大学东莞光电研究院 | | 归口单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 | | 提出机构 | 中华人民共和国工业和信息化部 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 15651.7-2024: 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管
CCSL53
中华人民共和国国家标准
半导体器件 第5-7部分:光电子器件
光电二极管和光电晶体管
(IEC 60747-5-7:2016,MOD)
2024-03-15发布
2024-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
引言 Ⅳ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 光电二极管的基本额定值和特性 9
5 光电晶体管的基本额定值和特性 10
6 光敏器件的测试方法 12
参考文献 16
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件是GB/T 15651的第5-7部分,GB/T 15651已经发布了以下部分:
---半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件(GB/T 15651-1995);
---半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性(GB/T 15651.2-
2003);
---半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法(GB/T 15651.3-2003);
---半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器(GB/T 15651.4-2017);
---半导体器件 第5-5部分:光电子器件 光电耦合器(GB/T 15651.5-2024);
---半导体器件 第5-6部分:光电子器件 发光二极管(GB/T 15651.6-2023);
本文件修改采用IEC 60747-5-7:2016《半导体器件 第5-7部分:光电子器件 光电二极管和光电
晶体管》。
本文件将国际文件的第4章~第7章调整到第3章,符合我国标准的要求,便于标准的使用,之后
的章条号顺延。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
a) 删除了资料性附录A,与本文件内容无关;
b) 将“3.2光学辐射 波长位于向X射线过渡区(λ≈1nm)和向无线电波过渡区(λ≈1mm)之间
的电磁辐射”第二个(λ≈1nm)改为(λ≈1mm),改正其中的编辑性错误。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口。
本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、厦门市产品质量监督检验院、惠州仲恺高新区LED
品牌发展促进会、浙江智菱科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、厦门华联电子股份有
限公司、中国光学光电子行业协会、四川华体照明科技股份有限公司、北京大学东莞光电研究院。
本文件主要起草人:刘秀娟、葛莉荭、成森继、李俊凯、刘东月、郑智斌、洪震、段琼、李俊、李成明。
引 言
制定GB/T 15651系列的第5-7部分,为一般工业应用的光电二极管和光电晶体管产品的测试、评
价等提供适当的依据。
GB/T 15651是半导体光电子器件的系列标准,主要规定了光电子器件的总体要求、基本额定值和
特性、测试方法、半导体激光器、光电耦合器、发光二极管、光电二极管和光电晶体管等器件的技术要求、
质量保证规定等内容,拟由以下几个部分构成。
---第5部分:光电子器件。目的在于给出半导体光电子发射器件、半导体光敏元器件、内部工作
机理与光辐射有关的半导体器件和分类型器件的标准。
---第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性。目的在于给出半导体光电子发射器件、半导体
光电探测器件、半导体光敏器件、内部进行光辐射工作的半导体器件及分类为光电子器件的基
本额定值和特性,用于光纤系统或子系统的除外。
---第5-3部分:光电子器件 测试方法。目的在于给出光电子器件的测试方法,用于光纤系统或
子系统的除外。
---第5-4部分:光电子器件 半导体激光器。目的在于给出半导体激光器的基本额定值、特性和
测试方法。
---第5-5部分:光电子器件 光电耦合器。目的在于给出光电耦合器的术语、基本额定值、特性、
安全试验及测量方法。
---第5-6部分:光电子器件 发光二极管。目的在于给出发光二极管的术语、额定值和特性、测
试方法和质量评估方法。
---第5-7部分:光电子器件 光电二极管和光电晶体管。目的在于给出光电二极管和光电晶体
管的术语、基本额定值和特性以及测量方法。
半导体器件 第5-7部分:光电子器件
光电二极管和光电晶体管
1 范围
本文件规定了光电二极管(以下简称“PDs”)和光电晶体管(以下简称“PTs”)的术语、基本额定值和
特性以及测试方法。
本文件适用于光电二极管和光电晶体管。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1 物理概念
3.1.1
辐射 radiation
a) 能量以与光子有关联的电磁波的形式发射或传播。
b) 电磁波或光子。
[来源:GB/T 2900.65-2004,845-01-01,有修改]
3.1.2
光学辐射 opticalradiation
波长位于向X射线过渡区(λ≈1nm)和向无线电波过渡区(λ≈1mm)之间的电磁辐射。
[来源:GB/T 2900.65-2004,845-01-02]
3.1.3
可见辐射 visibleradiation
任何能够直接引起视觉的光学辐射。
注:可见辐射的光谱范围没......
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