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| 标准编号 | GB/T 21548-2021 (GB/T21548-2021) | | 中文名称 | | | 英文名称 | Methods of measurement of the high speed semiconductor lasers directly modulated for optical fiber communication systems | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | M31 | | 字数估计 | 14,150 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 21548-2021
Methods of measurement of the high speed semiconductor lasers directly modulated for optical fiber communication systems
ICS 31.260
M31
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 21548-2008
光通信用高速直接调制半导体激光器的
测量方法
2021-04-30发布
2021-08-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅰ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 缩略语 4
5 测量方法 5
附录A(资料性附录) 半导体激光器组件结构 11
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T 21548-2008《光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法》,本标准与
GB/T 21548-2008相比,主要技术变化如下:
---修改了范围描述(见第1章,2008年版的第1章);
---删除了 GB/T 17626系列标准、YD/T 701-1993、YD/T 1111.2-2001、YD/T 767-1995和
IEC 62007-2的引用,增加引用了GB/T 15651-1995和GB/T 31359-2015(见第2章,2008
年版的第2章);
---删除了峰值波长和中心波长、阈值电流、光功率-驱动电流线性度、分布反馈、光谱宽度、多量子
阱分布反馈、边模抑制比、载噪比、组合二阶互调、组合三阶差拍的定义,修改了半导体激光器
及其组件的定义(见第3章,2008年版的3.2);
---删除了模拟带宽等多个缩略语,增加了PAM4的缩略语(见第4章,2008年版的3.1);
---删除了激光器特性及分类(见2008年版的5.2);
---增加了对波分复用半导体激光器组件测量方案的描述(见5.1);
---修改了环境条件要求以及测量仪器要求(见5.2和5.3,2008年版的5.3.1);
---删除了测量设备和仪表要求(见2008年版的5.3.1.2、5.3.2.1、5.3.3.1、5.3.4.1、5.3.5.1、5.3.6.1、
5.3.7.1、5.3.8.1、5.3.9.1、5.3.10.1、5.3.11.1、5.3.12.1);
---修改了阈值电流的测量方法(见5.4.2,2008年版的5.3.3);
---增加了斜率效率的测量方法(见5.4.2);
---增加了四电平脉冲幅度调制的眼图测量方法描述(见5.4.6);
---修改了S11参数的测量(见5.4.7,2008年版的5.3.8);
---修改了波长-温度漂移系数的测量(见5.4.10,2008年版的5.3.11);
---修改了相对强度噪声的测量方法(见5.4.11,2008年版的5.3.12);
---删除了载噪比、组合二阶互调和组合三阶差拍的测量方法,可靠性试验和分类和产品检验方法
(见2008年版的附录A、附录B、附录C和附录D);
---增加了单通道半导体激光器组件封装结构和波分复用激光器组件封装结构示意图(见附录
A)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国通信标准化技术委员会(SAC/TC485)归口。
本标准起草单位:烽火科技集团有限公司、中兴通讯股份有限公司、中国信息通信研究院、深圳新飞
通光电子技术有限公司。
本标准主要起草人:江毅、李世瑜、马卫东、罗飚、武成宾、赵文玉、陈悦、龚雪、曹丽、何万晖。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 21548-2008。
光通信用高速直接调制半导体激光器的
测量方法
1 范围
本标准规定了光通信用高速直接调制激光器及其组件的分类和测量方法。
本标准适用于光传送网、光接入网及数据中心等光通信系统中所用高速直接调制激光器及其组件
的光电特性测量,模拟光通信系统和其他光系统中所用激光器及其组件的光电特性测量也可参考使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
GB/T 31359-2015 半导体激光器测试方法
3 术语和定义
GB/T 15651-1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
半导体激光器 semiconductorlaser
采用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体异质结构材料制作的激光器。
注:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体异质结构材料(如GaAlAs/GaAs、InGaAsP/InP、InAlGaAs/InP)。
3.2
由半导体激光器芯片、外围连接元件、背光探测器、微透镜、光隔离器、耦合光纤、管壳等组成的混合
集成件。
3.3
调制电信号直接控制激光器驱动电流,使激光器输出光强度随调制电信号的幅度而变化的一种调
制方式。
3.4
斜率效率 slopeeffici......
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