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| 标准编号 | GB/T 26069-2022 (GB/T26069-2022) | | 中文名称 | | | 英文名称 | Annealed monocrystalline silicon wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 字数估计 | 9,937 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 26069-2022
Annealed monocrystalline silicon wafers
ICS 29.045
CCSH82
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 26069-2010
硅 单 晶 退 火 片
2022-03-09发布
2022-10-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 26069-2010《硅退火片规范》,与GB/T 26069-2010相比,除结构调整和编辑
性改动外,主要技术变化如下:
a) “范围”一章增加了包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单等内容,更改了硅单晶退火片的
适用范围(见第1章,2010年版的第1章);
b) 增加了术语“退火片”“技术代”及其定义(见第3章);
c) 增加了65nm、45nm、32nm和22nm集成电路线宽所需的硅单晶退火片的技术规格(见第4
章);
d) 增加了退火片的基本要求应符合GB/T 12962、GB/T 29504、GB/T 12965、GB/T 29508的要
求(见5.1);
e) 更改了硅片标识、径向氧含量、厚度及允许偏差、局部光散射体等要求,删除了直径、边缘表面
条件、平整度、滑移、体微缺陷(BMD)刻蚀带深度等要求,增加了主参考面或切口晶向、边缘轮
廓、背表面状态、洁净区宽度(DZ)等要求(见第5章,2010年版的4.2);
f) 删除了径向电阻率变化、晶向、参考面长度、主参考面晶向、晶体完整性、直径、间隙氧含量、间
隙氧含量径向变化、边缘轮廓的测量方法(见2010年版的5.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.9、5.10和
5.15)
g) 更改了厚度、总厚度变化、局部平整度的测量方法(见6.3,2010年版的5.11和5.13);
h) 更改了翘曲度的测量方法(见6.4,2010年版的5.12);
i) 增加了背表面光泽度的测量方法(见6.6);
j) 更改了表面金属含量的测试方法(见6.8,2010年版的5.17);
k) 增加了体金属(铁)含量的测试方法(见6.10);
l) 增加了洁净区宽度及体微缺陷密度的检验方法(见6.11);
m) 更改了组批方式(见7.2,2010年版的6.2);
n) 全检项目中增加了导电类型、几何参数、表面金属含量和氧化诱生缺陷(见7.3.1);
o) 增加了检验结果的判定(见7.5);
p) 更改了包装(见8.1,2010年版的7.2);
q) 增加了随行文件(见8.5)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、浙江众晶电子有限
公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、开化县检验检测研究院、浙江中晶科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技
股份有限公司、浙江海纳半导体有限公司、中环领先半导体材料有限公司。
本文件主要起草人:孙燕、宁永铎、楼春兰、陈锋、黄笑容、王振国、张海英、潘金平、由佰玲。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为:
---2010年首次发布为GB/T 26069-2010;
---本次为第一次修订。
硅 单 晶 退 火 片
1 范围
本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、
运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片,产品用于技术代
180nm~22nm的集成电路。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
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