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| 标准编号 | GB/T 29055-2019 (GB/T29055-2019) | | 中文名称 | 太阳能电池用多晶硅片 | | 英文名称 | Multicrystalline Silicon Wafers for Photovoltaic Solar Cell | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,189 | | 发布日期 | 2019-06-04 | | 实施日期 | 2020-05-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 29055-2019
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 29055-2012
太阳能电池用多晶硅片
2019-06-04发布
2020-05-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 29055-2012《太阳电池用多晶硅片》。本标准与GB/T 29055-2012相比,除编
辑性修改外主要技术变化如下:
---修改了适用范围,将“适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片”改为
“适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片)”(见第1章,2012年版的第1章)。
---删除了规范性引用文件GB/T 1551和SEMIMF1535,增加了 GB/T 30860、GB/T 30869、
SJ/T 11627、SJ/T 11628、SJ/T 11630、SJ/T 11631、SJ/T 11632和YS/T 28(见第2章,2012
年版的第2章)。
---删除了密集线痕的定义,增加了线痕和微裂纹的定义(见3.1和3.2,2012年版的3.1)。
---修改了边长分类,由125mm×125mm和156mm×156mm改为156.75mm×156.75mm,
建议边长的增减量为1mm的整数倍(见表1,2012年版的表1)。
---将外形尺寸分类与要求合并,并修改了边长、厚度及允许偏差的要求(见4.1,2012年版的
第4章、第5章)。
---修改了总厚度变化、弯曲度的要求(见4.1,2012年版的5.2)。
---修改了载流子寿命、间隙氧含量、代位碳含量的要求(见4.2.3、4.3,2012年版的5.3.3、5.3.4、
5.3.5)。
---增加了表面质量中缺口、微裂纹的要求(见4.4.1)。
---修改了表面质量中崩边缺陷的要求(见4.4.2,2012年版的5.1.2)。
---删除了表面质量中的色斑、边缘缺陷、晶粒数量及尺寸规格中密集型线痕的要求(见2012年版
的5.1.1、5.1.3、5.1.4、5.2)。
---增加了类单晶硅片的要求(见第4章)。
---修改了组批、检验项目、取样及检验结果的判定(见6.2、6.3、6.4,2012年版的7.2、7.3、7.4)。
---修改了包装的要求(见7.2.1,2012年版的8.1.1)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、江西赛维
LDK太阳能高科技有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院、扬州荣德新能源科
技有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、英利能源(中国)有限公司。
本标准主要起草人:万跃鹏、唐骏、游达、林清香、苏磊、李素青、余刚、高长昆、常传波、李建敏、何亮、
梁学勤、齐灵燕、孙培亚、李英叶。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 29055-2012。
太阳能电池用多晶硅片
1 范围
本标准规定了太阳能电池用多晶硅片(以下简称硅片)的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运
输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。
本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片)。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 29054 太阳能级铸造多晶硅块
GB/T 30860 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
GB/T 30869 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法
SJ/T 11627 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法
SJ/T 11628 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法
SJ/T 11630 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法
SJ/T 11631 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法
SJ/T 11632 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法
YS/T 28 硅片包装
3 术语和定义
GB/T 14264和GB/T 29054界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
线痕 sawmarks
晶块切割时,在晶片表面留下的条状凸纹和凹纹形状的不规则痕迹。
3.2
微裂纹 microcrack
宽度在微米量级,无法通过肉眼直接识别的裂纹。
4 要求
4.1 外形尺寸
硅片的外形尺寸及允许偏差应符合表1的规定。
表1
项目 要求 允许偏差
边长a/mm 156.75×156.75 ±0.25
倒角/mm 1.5 ±0.5
厚度b/μm
160
170
180
190
200
+20
-10
±20
总厚度变化/μm ≤30 -
弯曲度/μm ≤50 -
相邻两边的垂直度/(°) 90 ±0.25
a 边长的增减量建议为1mm的整数倍。
b 厚度的增减量建议为10μm的整数倍。
4.2 电学性能
4.2.1 硅片的导电类型为P型。
4.2.2 硅片的电阻率为0.5Ω·cm~3.0Ω·cm。
4.2.3 硅片的载流子寿命应符合GB/T 29054的规定,质量由供方保证。
4.3 间隙氧和代位碳含量
硅片的间隙氧含量和代位碳含量应符合GB/T 29054的规定,质量由供方保证。
4.4 表面质量
4.4.1 硅片表面应洁净,无缺口、沾污、目视裂纹、微裂纹、孔洞等缺陷。
4.4.2 硅片表面不应有“V”型缺口的崩边缺陷,允许有深度小于0.3mm、长度小于0.5mm的崩边缺
陷,且整片不超过2处。
4.4.3 硅片表面的单条线痕深度值应不大于15μm。
4.5 类单晶硅片的最大晶粒面积比例
类单晶硅片的最大晶粒面积比例应符合表2的规定。
表2
项目
要求
Ⅰ类a Ⅱ类
最大晶粒面积比例 100%b < 100%
a Ⅰ类类单晶硅片相对于直拉单晶硅片和区熔单晶硅片,可能有更大的位错密度和晶向偏差。
b Ⅰ类类单晶硅片最大晶粒面积比例一般要求为100%,如供需双方协商一致,可允许最大晶粒面积比例
为97%。
4.6 其他
需方如对硅片的技术指标有特殊要求时,可由供需双方协商确定并在合同中注明。
5 试验方法
5.1 边长和倒角的检验按SJ/T 11628或SJ/T 11630的规定进行。仲裁方法按SJ/T 11630的规定
进行。
5.2 厚度和总厚度变化的检验按GB/T 6618、GB/T 30869或SJ/T 11628的规定进行。仲裁方法按
GB/T 6618的规定进行。
5.3 弯曲度的检验按GB/T 6619的规定进行,或由供需双方协商确定。
5.4 相邻两边垂直度的检验按SJ/T 11628或SJ/T 11630的规定进行。仲裁方法按SJ/T 11630的规
定进行。
5.5 导电类型的检验按GB/T 1550的规定进行。
5.6 电阻率的检验按GB/T 6616、SJ/T 11627或SJ/T 11628的规定进行。仲裁方法按GB/T 6616的
规定进行。
5.7 表面质量(除微裂纹、线痕)的检验按SJ/T 11631的规定进行,或由供需双方协商确定。
5.8 表面微裂纹的检验按SJ/T 11632的规定进行。
5.9 表面线痕的检验按GB/T 30860的规定进行。
5.10 类单晶硅片的最大晶粒面积比例的检查在光强度为430lx~650lx的照明条件下,距硅片30cm~
50cm的位置垂直于硅片表面目视进行。
6 检验规则
6.1 检验和验收
6.1.1 产品应由供方进行检验,保证产品质量符合本标准及订货单(或合同)的规定,并填写质量证
明书。
6.1.2 需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验,如检验结果与本标准及订货单(或合同)的规定
不符时,应以书面形式向供方提出,由供需双方协商解决。属于外形尺寸或表面质量的异议,应在收到
产品之日起一个月内提出;属于其他性能的异议,应在收到产品之日起三个月内提出。如需仲裁,应由
供需双方协商确定。
6.2 组批
硅片应成批提交验收。每批应由相同工艺生产的同一外形尺寸、导电类型和电阻率范围的硅片
组成。
6.3 检验项目
每批硅片的检验项目见表3。
表3
序号 检验项目 检验水平 接收质量限(AQL)
1 边长
2 倒角
3 厚度
4 总厚度变化
5 弯曲度
6 相邻两边的垂直度
7 导电类型
8 电阻率
S-2 2.5
9 表面质量
10 类单晶硅片的最大晶粒面积比例
Ⅱ 0.65
6.4 取样及检验结果的判定
各检验项目的取样按GB/T 2828.1-2012中的正常检验一次抽样方案,检验水平和接收质量限
(AQL)应符合表3的规定。如按其他方案进行取样,应由供需双方协商确定。
7 标志、包装、运输、贮存和质量证明书
7.1 标志
7.1.1 在检验合格的硅片包装盒上张贴标签,其上注明:
a) 产品名称;
b) 产品技术要求;
c) 产品批号;
d) 产品数量。
7.1.2 硅片应成箱包装,每箱外侧应注明:
a) 供方名称、商标;
b) 产品名称;
c)......
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