GB/T 43493.3-2023 相关标准英文版PDF

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GB/T 43493.3-2023	英文版	404	GB/T 43493.3-2023	[PDF]天数 <=4	半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法	GB/T 43493.3-2023	有效

基本信息
标准编号	GB/T 43493.3-2023 (GB/T43493.3-2023)
中文名称	半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法
英文名称	Semiconductor device - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L90
国际标准分类	31.080.99
字数估计	22,231
发布日期	2023-12-28
实施日期	2024-07-01
发布机构	国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 43493.3-2023: 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法 ICS 31.080.99 CCSL90 中华人民共和国国家标准半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分:缺陷的光致发光检测方法 (IEC 63068-3:2020,IDT) 2023-12-28发布 2024-07-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布目次前言 Ⅲ 引言 Ⅳ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 光致发光法 4 4.1 通则 4 4.2 原理 4 4.3 测试需求 5 4.4 参数设置 7 4.5 测试步骤 7 4.6 评价 7 4.7 精密度 8 4.8 测试报告 8 附录A(资料性) 缺陷的光致发光图像 9 A.1 概述 9 A.2 BPD 9 A.3 堆垛层错 10 A.4 延伸堆垛层错 10 A.5 复合堆垛层错 11 A.6 多型包裹体 11 附录B(资料性) 缺陷的光致发光谱 13 B.1 概述 13 B.2 BPD 13 B.3 堆垛层错 13 B.4 延伸堆垛层错 15 B.5 复合堆垛层错 15 B.6 多型包裹体 16 参考文献 17 前言本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件是GB/T 43493《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》的第3部分。GB/T 43493已经发布了以下部分: ---第1部分:缺陷分类; ---第2部分:缺陷的光学检测方法; ---第3部分:缺陷的光致发光检测方法。本文件等同采用IEC 63068-3:2020《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分:缺陷的光致发光检测方法》。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布结构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位:河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、厦门特仪科技有限公司。本文件主要起草人:芦伟立、房玉龙、李佳、殷源、丁雄杰、张冉冉、王健、李丽霞、张建峰、李振廷、徐晨、杨青、刘立娜、杨世兴、马康夫、钮应喜、金向军、尹志鹏、刘薇、陆敏、周少丰、林志阳。引言碳化硅(SiC)作为半导体材料,被广泛应用于新一代功率半导体器件中。与硅(Si)相比,具有击穿电场强度高、导热率高、饱和电子漂移速率高和本征载流子浓度低等优越的物理性能,SiC基功率半导体器件相对于硅基器件,具有更快的开关速度、低损耗、高阻断电压和耐高温等性能。 SiC功率半导体器件尚未全面得以应用,主要由于成本高、产量低和长期可靠性等问题。其中一个严重的问题是SiC外延材料的缺陷。尽管都在努力降低SiC外延片中的缺陷,但商用SiC外延片中仍存在一定数量的缺陷。因此有必要建立SiC同质外延片质量评定国际标准。 GB/T 43493旨在给出高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中各类缺陷的分类、光学检测方法和光致发光检测方法。由三个部分组成。 ---第1部分:缺陷分类。目的是列出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中各类缺陷及其典型特征。 ---第2部分:缺陷的光学检测方法。目的是给出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中缺陷光学检测的定义和指导方法。 ---第3部分:缺陷的光致发光检测方法。目的是给出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中缺陷光致发光检测的定义和指导方法。半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分:缺陷的光致发光检测方法 1 范围本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例,为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。 2 规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。 3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。 ISO 和IEC 维护的用于标准化的术语数据库地址如下: ---ISO 在线浏览平台:availableathttps://www.iso.org/obp 3.1 光致发光 photoluminescence;PL 材料吸收光子产生电子激发导致发光。 3.2 使用激发电子的光源、聚焦光学器件、滤光器、光学图像传感器和计算机系统对缺陷图像进行捕获、处理和分析的技术。 ......

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