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| 标准编号 | GB/T 6619-2009 (GB/T6619-2009) | | 中文名称 | 硅片弯曲度测试方法 | | 英文名称 | Test methods for bow of silicon wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 11,164 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 6619-1995 | | 引用标准 | GB/T 2828.1; GB/T 14264 | | 采用标准 | SEMI MF534-0706, MOD | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径不小于50 m m, 厚度为不小于180 μm, 直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片的弯曲度。 | GB/T 6619-2009
Test methods for bow of silicon wafers
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T ６６１９-２００９
代替GB/T ６６１９-１９９５
硅片弯曲度测试方法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准修改采用ＳＥＭＩＭＦ５３４-０７０６《硅片弯曲度测试方法》。
本标准与ＳＥＭＩＭＦ５３４-０７０６相比，主要变化如下：
---本标准接触式测量方法格式按GB/T １．１格式编排；
---本标准根据我国实际生产情况增加了非接触式测量方法。
本标准代替GB/T ６６１９-１９９５《硅片弯曲度测试方法》。
本标准与GB/T ６６１９-１９９５相比，主要有如下变动：
---扩大了可测量硅片范围为直径不小于２５ｍｍ，厚度为不小于１８０μｍ，直径和厚度比值不大于
２５０的圆形硅片；
---增加了引用文件、术语、意义用途、测量环境条件和干扰因素等章节；
---修改了仪器校正的内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（ＳＡＣ/TＣ２０３）提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司。
本标准主要起草人：刘玉芹、蒋建国、冯校亮、张静雯。
本标准所替代标准的历次版本发布情况为：
---GB ６６１９-１９８６、GB/T ６６１９-１９９５。
GB/T ６６１９-２００９
硅片弯曲度测试方法
方法１ 接触式测量方法
１ 范围
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）弯曲度的接触式测量方法。
本标准适用于测量直径不小于２５ｍｍ，厚度为不小于１８０μｍ，直径和厚度比值不大于２５０的圆形
硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片
弯曲度。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T ２８２８．１ 计数抽样检验程序 第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划
（GB/T ２８２８．１-２００３，ISO ２８５９-１：１９９９，ＩＤＴ）
GB/T １４２６４ 半导体材料术语
３ 术语
GB/T １４２６４规定的及下列术语和定义适用于本标准。
３．１
半导体硅片的前表面，在上面已经制造或将制造半导体器件的暴露表面。
３．２
自由无夹持晶片中位面的中心点与中位面基准平面间的偏离。中位面基准平面是由指定的小于晶
片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面。
３．３
与晶片的正表面和背表面等距离点的轨迹。
４ 方法提要
将硅片置于基准环的３个支点上，３支点形成一个基准平面，用低压力位移指示器测量硅片中心偏
离基准平面的距离，翻转硅片，重复测量。两次测量值之差的一半就表示硅片的弯曲度。
５ 干扰因素
５．１ 本方法测试弯曲度是基于在有限几个点上的测量，硅片其他部分的几何变化可能检测不出来。
５．２ 支柱接触区域或硅片中心区域的厚度变化会导致错误的测量结果，这样的厚度变化是由碎屑、沾
污和硅片表面缺陷如：小丘、坑、切割台阶、波纹等......
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