SJH 2215.7-1982 相关标准英文版PDF

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SJ 2215.7-1982	英文版	199	SJ 2215.7-1982	[PDF]天数 <=2	半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法	SJ 2215.7-1982	作废

基本信息
标准编号	SJ 2215.7-1982 (SJ2215.7-1982)
中文名称	半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法
英文名称	Method of measurement for collector-emitter reverse breakdown voltage of semiconductor photocouplers (diodes)
行业	电子行业标准
中标分类	L54
字数估计	1,161
发布日期	11/30/1982
实施日期	7/1/1983
标准依据	工业和信息化部公告(2015年第28号); 工科(2010)第77号
范围	本标准适合于光耦合器集电极一发射极反向击穿电压V(BR)(CEO)的测试。

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英文网页English: SJH 2215.7-1982

相关标准: SAMR 76 | SJ/T 2214 | SJ/T 2216 | SJ/T 2215 |