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收录标准: 222397 (2026-05-14)
SJ/T 2658.8-2015 相关标准英文版PDF
搜索结果: SJ/T 2658.8-2015, SJ/T2658.8-2015, SJT 2658.8-2015, SJT2658.8-2015
标准号码
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状态
SJ/T 2658.8-2015
英文版
149
SJ/T 2658.8-2015
[PDF]天数 <=3
半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度
SJ/T 2658.8-2015
有效
SJ 2658.8-1986
英文版
199
SJ 2658.8-1986
[PDF]天数 <=3
半导体红外发光二极管测试方法.法向辐射率的测试方法
SJ 2658.8-1986
作废
基本信息
标准编号
SJ/T 2658.8-2015 (SJ/T2658.8-2015)
中文名称
半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度
英文名称
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 8: Radiant intensity
行业
电子行业标准 (推荐)
中标分类
L53
国际标准分类
31.08
字数估计
5,514
发布日期
2015-10-10
实施日期
2016-04-01
旧标准 (被替代)
SJ 2658.8-1986
引用标准
GB/T 2900.65-2004; SJ/T 2658.1; CIE 127-1997
标准依据
中华人民共和国工业和信息化部公告 2015年 第63号;行业标准备案公告2015年第12号(总第192号)
发布机构
工业和信息化部
范围
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
......
英文网页English:
SJ/T 2658.8-2015
相关标准:
SAMR 75
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SJ/T 2658.15
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SJ/T 2658.16
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SJ/T 2658.14
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