[PDF] GB/T 44517-2024 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 44517-2024 | 274 | GB/T 44517-2024 | <=3 | 微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 44517-2024 (GB/T44517-2024) |
| 中文名称 | 微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 |
| 英文名称 | Micro-electromechanical systems (MEMS) technology - Wafer curvature and cantilever beam deflection test methods for determining residual stresses of MEMS films |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L59 |
| 国际标准分类 | 31.080.99 |
| 字数估计 | 14,180 |
| 发布日期 | 2024-09-29 |
| 实施日期 | 2025-04-01 |
| 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 |
GB/T 44517-2024: 微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
ICS 31.080.99
CCSL59
中华人民共和国国家标准
微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残
余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
stressesofMEMSfilms
2024-09-29发布 2025-04-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 试验方法 1
4.1 概述 1
4.2 晶圆曲率法 2
4.3 悬臂梁挠度法 3
参考文献 6
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件等同采用IEC 62047-16:2015《半导体器件 微机电器件 第16部分:MEMS膜残余应力
试验方法 晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
---为与现有标准协调,将标准名称改为《微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残余应力的晶圆
曲率和悬臂梁挠度试验方法》;
---为了便于理解,增加了3.2的“注2”,删除了正文中未出现的“实体”的定义,增加了“挠度”的
定义;
---增加了对公式(1)中字符σf、hs、κ的说明;
---更正了原文E、ν缺少下标的错误;
---增加了对公式(3)中字符L、δ的说明;
---增加了图1、图2中“注”。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本文件起草单位:合肥美的电冰箱有限公司、中机生产力促进中心有限公司、绍兴中芯集成电路制
造股份有限公司、中国科学院空天信息创新研究院、苏州大学、国网智能电网研究院有限公司、苏州慧闻
纳米科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、无锡芯感智半导体有限公司、微纳感知(合肥)技术有
限公司、深圳市美思先端电子有限公司、宁波科联电子有限公司、美的集团股份有限公司、东南大学、
工业和信息化部电子第五研究所、深圳市速腾聚创科技有限公司、华东电子工程研究所(中国电子科技
集团公司第三十八研究所)、北京晨晶电子有限公司、南京高华科技股份有限公司、武汉高德红外股份有
限公司、安徽北方微电子研究院集团有限公司、广东涧宇传感器股份有限公司、无锡韦感半导体有限公
司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司。
本文件主要起草人:马卓标、李根梓、曹诗亮、谢波、余庆、孙立宁、王军波、梁先锋、孙旭辉、胡永刚、
杨绍松、许磊、宏宇、王雄伟、钱峰、周再发、董显山、杨旸、张森、张红旗、汤一、兰之康、黄晟、张胜兵、
李海全、万蔡辛、高峰、陈林。
微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残
余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
1 范围
本文件描述了测量厚度范围为0.01μm~10μm的 MEMS膜残余应力的方法,包含晶圆曲率法和
悬臂梁挠度法。
本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条件。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
IEC 62047-21 半导体器件 微电机器件 第21部分:薄膜 MEMS材料泊松比试验方法(Semi-
filmMEMSmaterials)
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
残余应力 residualstress
σf
外部载荷(力、热)去除后仍然存在的应力。
3.2
曲率 curvature
几何物体(晶圆)偏离平面的量。
注1:对于圆,κ=1/R,其中R 为半径。
注2:在膜与衬底组成的双层结构中,曲率中心与膜同侧则曲率为正,曲率中心与膜异侧则曲率为负。
3.3
挠度 deflection
梁在变形时其自由端端点在该点处轴线法平面内的位移量。
注:在膜与衬底组成的双层结构中,梁的......