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[PDF] GB/T 44514-2024 - 英文版

标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	状态
GB/T 44514-2024	英文版	274	GB/T 44514-2024	[PDF]天数 >=3	微机电系统（MEMS）技术层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法	有效

基本信息
标准编号	GB/T 44514-2024 (GB/T44514-2024)
中文名称	微机电系统（MEMS）技术层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法
英文名称	Micro-electromechanical system(MEMS) technology - Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L59
国际标准分类	31.080.99
字数估计	14,135
发布日期	2024-09-29
实施日期	2024-09-29
发布机构	国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 44514-2024 Micro-electromechanical system(MEMS) technology - Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials 微机电系统（MEMS）技术层状 MEMS 材料界面黏附能四点弯曲试验方法 Micro-electromechanical system (MEMS) technology-Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials (IEC 62047-31: 2019, Semiconductor devices-Micro-electromechanical of layered MEMS materials, IDT) ICS 31.080.99 CCS L 59 中华人民共和国国家标准 2024-09-29发布 2024-09-29实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布目次前言 ··· Ⅲ 1 范围 ···· 1 2 规范性引用文件 ···· 1 3 术语、定义、符号和名称 ···· 1 3.1 术语和定义 ···· 1 3.2 符号和名称 ···· 1 4 试验件 ··· 2 4.1 总体要求 ···· 2 4.2 试验件的形状 ···· 2 4.3 尺寸测量 ···· 3 4.4 能量释放率的评价 ···· 3 5 试验方法和试验装置 ···· 3 5.1 试验原理 ···· 3 5.2 试验设备 ···· 3 5.3 试验程序 ···· 3 5.4 试验环境 ···· 4 6 试验报告 ··· 4 附录 A （资料性）四点弯曲试验中的失效模式 ···· 6 A.1 总则 ···· 6 A.2 失效模式 ···· 6 参考文献 ···· 8 前言本文件按照 GB/T 1.1-2020《标准化工作导则　第 1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件等同采用 IEC 62047﹘31：2019《半导体器件　微机电器件　第 31部分：层状MEMS材料界面结合能的四点弯曲试验方法》。本文件做了下列最小限度的编辑性改动：为与现有标准协调，将标准名称改为《微机电系统（MEMS）技术　层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法》；为显示试验件原始状态，增加了图1a）试验前带有预制裂纹的试验件示意图，同时增加了压辊和支承辊的说明。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC 336）提出并归口。本文件起草单位：北京自动化控制设备研究所、合肥美的电冰箱有限公司、中机生产力促进中心有限公司、北京晨晶电子有限公司、山东中康国创先进印染技术研究院有限公司、苏州大学、西安交通大学、中国科学院空天信息创新研究院、深圳市速腾聚创科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、安徽奥飞声学科技有限公司、航天长征火箭技术有限公司、天津新智感知科技有限公司、华东电子工程研究所（中国电子科技集团公司第三十八研究所）、山东中科思尔科技有限公司、苏州和林微纳科技股份有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司。本文件主要起草人：王永胜、曹诗亮、尚克军、李根梓、刘韧、汤一、毛志平、孙立宁、王志广、陈德勇、杨旸、要彦清、张鲁宇、鲁毓岚、张新伟、安志武、郑冬琛、路文一、陈得民、张红旗、商艳龙、李帆雅、钱晓晨、高峰。微机电系统（MEMS）技术层状 MEMS 材料界面黏附能四点弯曲试验方法 1　范围本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的 1/100。 2　规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。 3　术语、定义、符号和名称 3.1　术语和定义下列术语和定义适用于本文件。 3.1.1 能量释放率　energy release rate 在裂纹增长过程中释放的单位表面积的应变能。注：能量释放率被认为是裂纹驱动力，单位为焦耳每平方米（J/m2）。 3.1.2 界面黏附能　in......

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