[PDF] GB/T 14863-1993 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 14863-1993 | 399 | GB/T 14863-1993 | <=3 | 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 14863-1993 (GB/T14863-1993) |
| 中文名称 | 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 |
| 英文名称 | Standard test method for net carrier density in silicon eqitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L41 |
| 国际标准分类 | 29.040.30 |
| 字数估计 | 10,182 |
| 发布日期 | 12/30/1993 |
| 实施日期 | 10/1/1994 |
| 引用标准 | SJ 1550, |
| 发布机构 | 国家技术监督局 |
| 范围 | 本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录B)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层, 也适用于体材料。 |
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