标准搜索结果: 'GB/T 1553-2009'
| 标准编号 | GB/T 1553-2009 (GB/T1553-2009) | | 中文名称 | 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 | | 英文名称 | Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 15,191 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 1553-1997 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1551; GB/T 14264 | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量 | GB/T 1553-2009
Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T １５５３-２００９
代替GB/T １５５３-１９９７
硅和锗体内少数载流子寿命测定
光电导衰减法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准代替GB/T １５５３-１９９７《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》。
本标准与原标准相比，主要有如下变化：
---新增加少子寿命值的测量下限范围；
---删除了有关“斩切光”的内容；
---本标准将GB/T １５５３-１９９７中第７章“试剂和材料”和第８章“测试仪器”并为第６章“测量仪
器”；
---本标准增加了“术语”章和“体寿命”的解释；
---本标准在“干扰因素”章增加了对各干扰因素影响的消除方法。
本标准的附录Ａ为规范性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人：江莉、杨旭。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB １５５３-１９７９、GB ５２５７-１９８５、GB/T １５５３-１９９７。
GB/T １５５３-２００９
硅和锗体内少数载流子寿命测定
光电导衰减法
１ 范围
１．１ 本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体
内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
１．２ 本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特
殊的条形尺寸和研磨的表面，见表１。
表１ 单位为毫米
类 型 长 度 宽 度 厚 度
Ａ １５．０ ２．５ ２．５
Ｂ ２５．０ ５．０ ５．０
Ｃ ２５．０ １０．０ １０．０
１．３ 本标准可测的最低寿命值为１０μｓ，取决于光源的余辉，而可测的最高寿命值主要取决于试样的尺
寸，见表２。
表２ 单位为微秒
材料 类型Ａ 类型Ｂ 类型Ｃ
ｐ型锗 ３２ １２５ ４６０
ｎ型锗 ６４ ２５０ ９５０
ｐ型硅 ９０ ３５０ １３００
ｎ型硅 ２４０ １０００ ３８００
１．４ 本标准不适用于抛光片的验收测试。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T １５５０ 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T １５５１ 硅、锗单晶电阻......
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