标准搜索结果: 'GB/T 1553-2023'
| 标准编号 | GB/T 1553-2023 (GB/T1553-2023) | | 中文名称 | 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 | | 英文名称 | Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium - Photoconductivity decay method | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 30,363 | | 发布日期 | 2023-08-06 | | 实施日期 | 2024-03-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 1553-2009 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 1553-2023: 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
ICS 77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 1553-2009
硅和锗体内少数载流子寿命的测定
光电导衰减法
2023-08-06发布
2024-03-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 1553-2009《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》,与GB/T 1553-
2009相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
a) 更改了范围(见第1章,2009年版的第1章);
b) 增加了术语和定义中直观寿命、少数载流子寿命、载流子复合寿命、注入水平的定义 (见第3
章),删除了表观寿命的定义(见2009年版的3.1),更改了体寿命的定义(见3.2,2009年版的
3.2);
c) 更改了干扰因素中陷阱效应、光生伏特效应、温度、电导率调幅效应、扫出效应、光源的波长和
关断特性、滤光片的影响(见4.1、4.4、4.5、4.10~4.13,2009年版的5.1、5.4、5.7、5.3、5.6、5.5、
5.9),增加了注入比、电阻率、样品表面、样品尺寸、载流子浓度变化、加水的影响、不同寿命测
试方法间的关系(见4.2、4.3、4.7、4.8、4.14~4.16);
d) 更改了方法原理(见5.1,2009年版的第4章);
e) 更改了研磨材料(见5.2.2,2009年版的7.1.2);
f) 更改了光源、电源、滤光片放置位置(见5.3.2.1~5.3.2.4,2009年版的6.2、6.3、6.5),删除了恒
温器、研磨设备、清洗和干燥设备(见2009年版的6.4、7.6、7.7),增加了计算机及软件系统(见
5.3.2.6);
g) 增加了试验条件(见5.3.4);
h) 更改了试验步骤中温度的要求(见5.3.5.1,2009年版的8.1);
i) 更改了直流光电导衰减-脉冲光方法的精密度(见5.3.7,2009年版的第11章);
j) 更改了高频光电导测试系统示意图(见6.2.1,2009年版的A.3.1);
k) 更改了光脉冲发生装置、光学系统、高频电源、检波器的要求(见6.2.2.1~6.2.2.4,2009年版的
A.3.2~A.3.5),增加了宽频放大器、取样器、示波器或计算机及软件系统测试装置(见6.2.2.5~
6.2.2.7);
l) 增加了样品要求(见6.3);
m) 增加了试验条件中相对湿度的要求(见6.4);
n) 增加了仪器的校准(见6.5.2);
o) 增加了快速测试方法(见6.5.4);
p) 增加了注入水平的计算(见6.6.1);
q) 更改了高频光电导衰减方法的精密度(见6.7,2009年版的第11章);
r) 增加了不同测试方法得到的寿命值之间的关系(见附录B)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广州昆德
半导体测试技术有限公司、青海芯测科技有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、浙江海纳
半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有
限公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、亚州硅业(青海)股份有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有
限公司、云南驰宏国际锗业有限公司。
本文件主要起草人:孙燕、宁永铎、李素青、朱晓彤、贺东江、王昕、薛心禄、徐岩、潘金平、严大洲、
王彬、蔡云鹏、田新、赵培芝、冉胜国、韩成福、普世坤、蔡丽艳、高源、赵晶、崔丁方。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为:
---1979年首次发布为GB/T 1553-1979,1985年第一次修订;
---1997年第二次修订时并入了 GB 5257-1985的内容,同时代替了 GB 5257-1985;2009年
第三次修订;
---本次为第四次修订。
硅和锗体内少数载流子寿命的测定
光电导衰减法
1 范围
本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减
测试方法。
本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减-脉冲光
法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品,测试硅单晶的最短寿命值为50μs,测试锗单晶最短寿
命值为10μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品,测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10μs。
注:直流光电导衰减方法有两种:直流光电导衰减-脉冲光法和直流光电导衰减-斩波光法(见附录A)。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
3.1
直观寿命 filamentlifetime
1/e寿命
在示波器上直观显示的从脉冲注入结束到衰减信号降至初始信号的1/e时的持续时间。
注1:衰减曲线的初始部分往往不符合指数衰减,因此从衰减曲线的初始部分确定的直观寿命无法确定少数载流子
寿命或载流子复合寿命;寿命的测量报告值可对直观寿命进行修正,即由衰减曲线后一段时间......
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