路径: 主页 > GB/T > 第241页 > GB/T 15651.4-2017 | 标准编号 | GB/T 15651.4-2017 (GB/T15651.4-2017) | | 中文名称 | 半导体器件 分立器件 第5-4部分：光电子器件 半导体激光器 | | 英文名称 | Semiconductor devices -- Discrete devices -- Part 5-4: Optoelectronic devices -- Semiconductor lasers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L51 | | 国际标准分类 | 31.260 | | 字数估计 | 28,242 | | 发布日期 | 2017-05-31 | | 实施日期 | 2017-12-01 | | 引用标准 | IEC 60747-1; IEC 62007-1; IEC 62007-2; ISO 11145; ISO 11146-1; ISO 11146-2; ISO 11146-3; ISO 11554; ISO 11670; ISO 12005; ISO 13694; ISO 13695; ISO 17526 | | 采用标准 | IEC 60747-5-4-2006, IDT | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | GB/T 15651的本部分规定了半导体激光器的基本额定值、特性及测试方法。 | GB/T 15651.4-2017
Semiconductor devices -- Discrete devices -- Part 5-4: Optoelectronic devices -- Semiconductor lasers
ICS 31.260
L51
中华人民共和国国家标准
半导体器件 分立器件
第5-4部分:光电子器件
半导体激光器
(IEC 60747-5-4:2006,IDT)
2017-05-31发布
2017-12-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 2
3.1 物理概念 2
3.2 器件类型---半导体激光器(激光二极管) 2
3.3 一般术语 2
3.4 与额定值和特性有关的术语 3
4 基本额定值和特性 7
4.1 类型 7
4.2 半导体 7
4.3 外形与封装细节 7
4.4 极限值(绝对最大额定值) 7
4.5 光电特性 8
4.6 补充资料---温度对波长的影响 9
5 测试方法 10
5.1 功率测试 10
5.2 输出功率稳定性 10
5.3 时域分布 12
5.4 寿命 14
5.5 激光束的光学特性 14
附录A(资料性附录) 空间分布和光谱特性相关术语及定义参照表 18
附录B(资料性附录) 空间分布和光谱特性相关测试方法参照表 22
附录C(资料性附录) 功率测试和寿命相关术语、定义及测试方法参照表 23
参考文献 24
图1 带端口无透镜器件 3
图2 开关时间 4
图3 激光二极管的阈值电流 5
图4 基本电路图 10
图5 基本电路图 12
图6 典型脉冲响应图 13
图7 基本电路图 14
图8 半强度角 15
图9 指定平面和机械参考面的关系 15
图10 基本测量装置图 16
图11 D1/2和D1/e2的测量装置 17
表1 光电特性 8
前言
GB/T 15651《半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件》由以下部分组成:
---第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性;
---第5-3部分:光电子器件 测试方法;
---第5-4部分:光电子器件 半导体激光器。
本部分为GB/T 15651的第5-4部分。
本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC 60747-5-4:2006《半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件
半导体激光器》。
与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下:
---GB/T 13863-2011 激光辐射功率和功率不稳定度测试方法(ISO 11554:2006,MOD);
---GB/T 15313-2008 激光术语 (ISO 11145:2006,MOD);
---GB/T 17573-1998 半导体器件和集成电路 第1部分 总则 (IEC 747-1:1983,IDT);
---GB/T 26599.1-2011 激光和激光相关设备 激光光束宽度、发散角和光束传输比的试验方
法 第1部分:无象散和简单象散光束(ISO 11146-1:2005,IDT);
---GB/T 27662-2011 激光光束指向和位置稳定性测试方法(ISO 11670:2003,IDT)。
本部分做了下列编辑性修改:
---在第2章规范性引用文件中,增加了“IEC 60747-1”;
---图1中接收角或束散角α对应为全角;
---3.4.1开关时间中“(见图3)”改为“(见图2)”;
---3.4.3注3中微分输出(辐射)功率量子效率中“ηed”改为“ηd”;
---3.4.7激光束光学特性中“(见ISO 1146-3)”改为“(见ISO 11146-3)”;
---“4.2.1.1”改为“4.2.1”;
---表1中,4.5.12边模抑制比“SMS”改为“SMSR”;
---5.5.4a)注中“根据ϕ依次确定指定平面后确定”后增加“如图8所示。”;
---附录A中,术语“相干性~脉冲重复频率”引用ISO 11145由“3.14~3.51”改为“3.15~3.52”,
术语“量子效率~非稳腔”引用ISO 11145由“3.52~3.56”改为“3.54~3.58”,术语“偏振”引用
ISO 11145由“3.36”改为“3.37”;
---附录A中,删除术语“峰值发射波长”、“光谱辐射带宽”引用的ISO 11145的“3.54”;
---附录C中,“开通延迟时间”引用IEC 60747-5-4由“3.4.1.4”改为“3.4.1.3”,“寿命”引用
ISO 11145由“3.33”改为“3.34”。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。
本部分主要起草人:刘小文、陈海蓉、安振峰、牛江丽、王晓燕、任浩。
半导体器件 分立器件
第5-4部分:光电子器件
半导体激光器
1 范围
GB/T 15651的本部分规定了半导体激光器的基本额定值、特性及测试方法。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
IEC 62007-1 光纤光学系统用半导体光电器件 第1部分:基本额定值和特性(Semiconductor
ISO 11145 光学和光学仪器 激光和激光相关设备 术语和符号(Opticsandoptical
ISO 11146-1 激光和激光相关设备 激光光束宽度、发散角和光束传输比的试验测试方法 第1
beams)
ISO 11146-2 激光和激光相关设备 激光光束宽度、束散角和光束传输比的测试方法 第2部
分:广 义 像 散 光 束 (Lasersandlaser-relatedequipment-Test methodsforlaserbeam widths,
ISO 11146-3 激光和激光相关设备 激光光束宽度、束散角和光束传输比的测试方法 第3部
分:本征和几何的激光束分类,传输和测试方法的细节(Lasersandlaser-relatedequipment-Test
ISO 11554 光学和光学仪器 激光和激......
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