[PDF] GB/T 24576-2009 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 24576-2009 | 209 | GB/T 24576-2009 | <=3 | 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 24576-2009 (GB/T24576-2009) |
| 中文名称 | 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 |
| 英文名称 | Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H80 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 9,950 |
| 发布日期 | 2009-10-30 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
| 采用标准 | SMEI M63-0306, IDT |
| 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AIGaAs, 外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底＜001＞方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定, 使用本方法测量Al元素含量时, AIGaAs外延层厚度应大于300 nm。 |
GB/T 24576-2009
Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T ２４５７６-２００９
高分辨率X射线衍射测量G犪A狊衬底
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准技术内容等同采用ＳＭＥＩＭ６３-０３０６《准则：采用高分辨率Ｘ光衍射法测量砷化镓衬底上
ＡｌＧａＡｓ中Ａｌ百分含量的测试方法》。本标准对ＳＭＥＩＭ６３-０３０６进行了编辑性修改。
本标准的附录Ａ为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研
究所。
本标准主要起草人：章安辉、黄庆涛、何秀坤。
GB/T ２４５７６-２００９
高分辨率X射线衍射测量G犪A狊衬底
１ 范围
本标准规定了用高分辨Ｘ射线衍射测量ＧａＡｓ衬底上ＡｌＧａＡｓ外延层中Ａｌ含量的试验方法。
本方法适用于在未掺杂ＧａＡｓ衬底＜００１＞方向上生长的ＡｌＧａＡｓ外延层中Ａｌ含量的测定，使用
本方法测量Ａｌ元素含量时，ＡｌＧａＡｓ外延层厚度应大于３００ｎｍ。
２ 术语、定义和符号
２．１ 术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
２．１．１
Ｘ光从一组结晶学平面衍射的角度，在布拉格定律中定义为：
角度。
２．１．２
扫描通过一个衍射峰时，衍射强度与ω的关系曲线，这个衍射峰在 ＨＲＸＲＤ测量中也许只有几个
弧秒的宽度。
２．１．３
包含入射光和衍射光的平面。
２．１．４
描述三元合金Ａ狓Ｂ１-狓Ｃ晶格参数随着狓成线性变化的定律，以ＡＢ或ＡＣ为基元，狓的变化范围是
０≤狓≤１。
２．２ 符号和缩略......