GB/T 24576-2009 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 24576-2009 | 209 | GB/T 24576-2009 | [PDF]天数 <=3 | 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 24576-2009 (GB/T24576-2009) |
| 中文名称 | 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 |
| 英文名称 | Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H80 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 9,950 |
| 发布日期 | 2009-10-30 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
| 采用标准 | SMEI M63-0306, IDT |
| 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AIGaAs, 外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底＜001＞方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定, 使用本方法测量Al元素含量时, AIGaAs外延层厚度应大于300 nm。 |