路径: 主页 > GB/T > 第432页 > GB/T 32278-2015 | 标准编号 | GB/T 32278-2015 (GB/T32278-2015) | | 中文名称 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | | 英文名称 | Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 7,725 | | 发布日期 | 2015-12-10 | | 实施日期 | 2017-01-01 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第38号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 32278-2015
Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
ICS 77.040
H21
中华人民共和国国家标准
碳化硅单晶片平整度测试方法
2015-12-10发布
2017-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。
碳化硅单晶片平整度测试方法
1 范围
本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度,即总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)、弯曲度
(Bow)、翘曲度(Warp)的测试方法。
本标准适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm,厚度0.13mm~1mm碳化硅单晶抛光片平整
度的测试。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
GB 50073 洁净厂房设计规范
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
以晶片的底平面为参考面,晶片表面特定(面积)区域内厚度最高点(最大值)和最低点(最小值)之
间的差。晶片的LTV指整片上所有测试区域LTV的最大值,示意图见图1。
图1 局部厚度变化(LTV)示意图
4 方法提要
一束平行光被分光镜(棱镜)分为两束光,其中一束经过固定的反射镜形成参考光,另一束经过移动
的反射镜形成测量光,参考光和测量光经过分光镜(棱镜)后汇合。如果两束光相位相同,光波叠加增
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