路径: 主页 > GB/T > 第432页 > GB/T 32282-2015 | 标准编号 | GB/T 32282-2015 (GB/T32282-2015) | | 中文名称 | 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 | | 英文名称 | Test method for dislocation density of GaN single crystal -- Cathodoluminescence spectroscopy | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 11,137 | | 发布日期 | 2015-12-10 | | 实施日期 | 2016-11-01 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第38号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 32282-2015
Test method for dislocation density of GaN single crystal - Cathodoluminescence spectroscopy
ICS 77.040
H21
中华人民共和国国家标准
氮化镓单晶位错密度的测量
阴极荧光显微镜法
2015-12-10发布
2016-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司。
本标准主要起草人:曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科。
氮化镓单晶位错密度的测量
阴极荧光显微镜法
1 范围
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
本标准适用于位错密度在1×103 个/cm2~5×108 个/cm2 之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所用的修改单)适用于本文件。
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 27788 微束分析 扫描电镜 图像放大倍率校准导则
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
阴极荧光 cathodoluminescence
材料在阴极射线(电子束)激发下产生发光的一种物理现象。
3.2
电子从高能态到低能态的跃迁过程中,电子和空穴复合时会释放一定的能量,能量以光子的形式
释放。
3.3
电子从高能态到低能态的跃迁过程中,电子和空穴复合时会释放一定的能量,能量以除光子辐射之
外的其他形式释放。
4 方法提要
通常,待测发光材料样品在电子束的作用下,会被激发出各种信号,如二次电子信号、背散射电子信
号、X射线信号、阴极荧光信号等。采用特定的探测器对上述信号进行分别接收,便可得到反映样品相
应特征的图像。对阴极荧光信号主要采用光电倍增管来探测,将光信号转换成电流,最后以图像输出。
阴极荧光图像上的衬度反映了样品不同区域发光的......
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