[PDF] GB/T 6616-2009 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 6616-2009 | 319 | GB/T 6616-2009 | <=3 | 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 6616-2009 (GB/T6616-2009) |
| 中文名称 | 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 |
| 英文名称 | Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H80 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 8,878 |
| 发布日期 | 2009-10-30 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 6616-1995 |
| 引用标准 | GB/T 1552; ASTM E691 |
| 采用标准 | SEMI MF673-1105, MOD |
| 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时, 衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10^(-3)Ω·cm～2×10^2Ω·cm和2×10^30Ω/□～3×10^3Ω/□。 |
GB/T 6616-2009
Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T ６６１６-２００９
代替GB/T ６６１６-１９９５
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层
电阻测试方法 非接触涡流法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准修改采用了ＳＥＭＩＭＦ６７３-１１０５《用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的
方法》。
本标准与ＳＥＭＩＭＦ６７３-１１０５相比主要变化如下：
---本标准范围中只包括硅半导体材料，去掉了范围中对于其他半导体晶片的适用对象；
---本标准未采用ＳＥＭＩＭＦ６７３-１１０５中局部范围测量的方法Ⅱ；
---未采用ＳＥＭＩ标准中关键词章节以适合GB/T １．１的要求。
本标准代替GB/T ６６１６-１９９５《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》。
本标准与GB/T ６６１６-１９９５相比，主要有如下变化：
---调整了本标准测量直径或边长范围为大于２５ｍｍ；
---增加了引用标准；
G＝
，并增加了电导率；
---修改了第４章中参考片电阻率的值与表１指定值之偏差为小于±２５％；
---增加了干扰因素；
---修改了第６章中测试环境温度为２３℃±１°Ｃ；
---规定了测试环境清洁度不低于１００００级；仪器预热时间为２０ｍｉｎ；
---第７章中采用了ＳＥＭＩＭＦ６７３-１１０５标准中相关的精度和偏差。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位：万向硅峰电子股份有限公司。
本标准主要起草人：楼春兰、朱兴萍、方强、汪新平、戴文仙。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB/T ６６１６-１９９５。
GB/T ６６１６-２００９
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层
电阻测试方法 非接触涡流法
１ 范围
本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径或边长大于２５ｍｍ、厚度为０．１ｍｍ～１ｍｍ的硅单晶切割片、研磨片和抛
光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为
薄膜薄层电阻的１０００倍。
硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为１．０×１０-３Ω·ｃｍ～２×１０２Ω·ｃｍ和２×１０３Ω／□～
３×１０３Ω／□。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T １５５２ 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
ＡＳＴＭＥ６９１ 引导多个实验室测定试验方法的惯例
３ 方法提要
将硅片试样平插入一对共轴涡流探头（传感器）之间的固定间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流
探头之间的交变磁场在硅片上感应产生涡流，则激励电流值的变化是硅片电导的函数。通过测量激励
电流的变化即可测得试样的电导。当试样厚度已知时，便可计算出试样的电阻率，见式（１）。
G ＝
（１）
式中：
ρ---试样的电阻率，单位为欧姆厘米（Ω·ｃｍ）；
G---试样的薄层电导，单位为西门子（Ｓ）；
R---试样的薄层电阻，单位为欧姆（Ω／□）；
δ---电导率，单位为欧姆每厘米（Ω／ｃｍ）。
４ 测量装置
４．１ 电学测量装置
４．１．１ 涡流传感器组件。由可供硅片插入的具有固定间隙的一对共轴线探头，放置硅片的支架（需保
证硅片与探头轴线垂直），硅片对中装置及激励探......