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| 标准编号 | GB/T 6618-2009 (GB/T6618-2009) | | 中文名称 | 硅片厚度和总厚度变化测试方法 | | 英文名称 | Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,161 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 6618-1995 | | 引用标准 | GB/T 2828.1; GB/T 12964; GB/T 12965; GB/T 14139 | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下, 本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。 | GB/T 6618-2009
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T ６６１８-２００９
代替GB/T ６６１８-１９９５
硅片厚度和总厚度变化测试方法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准代替GB/T ６６１８-１９９５《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。
本标准与GB/T ６６１８-１９９５相比，主要有如下变化：
---将适用范围扩展到外延片；
---增加了第４章干扰因素；
---增加了１５０ｍｍ和２００ｍｍ两种规格的基准环的尺寸；
---增加了７．２仪器校正的内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：北京有研半导体材料股份有限公司。
本标准主要起草人：卢立延、孙燕、杜娟。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB ６６１８-１９８６、GB/T ６６１８-１９９５。
GB/T ６６１８-２００９
硅片厚度和总厚度变化测试方法
１ 范围
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫
描式测量方法。
本标准适用于符合GB/T １２９６４、GB/T １２９６５、GB/T １４１３９规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变
化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T ２８２８．１ 计数抽样检验程序 第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划
（GB/T ２８２８．１-２００３，ISO ２８５９-１：１９９９，ＩＤＴ）
GB/T １２９６４ 硅单晶抛光片
GB/T １２９６５ 硅单晶切割片和研磨片
GB/T １４１３９ 硅外延片
３ 方法概述
３．１ 分立点式测量
在硅片中心点和距硅片边缘６ｍｍ圆周上的４个对称位置点测量硅片厚度。其中两点位于与硅片
主参考面垂直平分线逆时针方向的夹角为３０°的直径上，另外两点位于与该直径相垂直的另一直径上
（......
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