[PDF] SJ 20016-1992 - 中国标准 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ 20016-1992 | 389 | SJ 20016-1992 | <=3 | 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 20016-1992 (SJ20016-1992) |
| 中文名称 | 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范 |
| 英文名称 | Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon low-power high-reverse-voltage transistor for types 3DG182 GP, GT and types GCT classes |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | L42 |
| 字数估计 | 11,178 |
| 发布日期 | 2/1/1992 |
| 实施日期 | 5/1/1992 |
| 引用标准 | GB 4587-1984; GB 7581-1987; GJB 33-1985; GJB 128-1986 |
| 范围 | 本规范规定了3DG 182型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定, 提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 |
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