[PDF] SJ 20858-2002 - 中国标准 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ 20858-2002 | 289 | SJ 20858-2002 | <=3 | 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 20858-2002 (SJ20858-2002) |
| 中文名称 | 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 |
| 英文名称 | Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | H82 |
| 字数估计 | 9,924 |
| 发布日期 | 2002-12-12 |
| 实施日期 | 2003-05-01 |
| 引用标准 | GB/T 4326-1984 |
| 范围 | 本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。 |
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