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收录标准: 222431 (2026-05-16) 搜索

行业标准: SJ/T

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标准号码 标准名称
SJ 21349-2018 掺铈无机氧化物闪烁晶体规范
SJ 21351-2018 掺铈无机氧化物闪烁晶体原料制备工艺技术要求
SJ 21352-2018 掺铈无机氧化物闪烁晶体生长工艺技术要求
SJ 21353-2018 掺铈无机氧化物闪烁晶体加工工艺技术要求
SJ 21442-2018 GaN-SI型半绝缘氮化镓单晶片规范
SJ 21443-2018 GaN-N型低阻氮化镓单晶片规范
SJ 21444-2018 β-Ga2O3-N型氧化镓单晶片规范
SJ 21445-2018 CdS-N型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片规范
SJ 21446-2018 CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片规范
SJ 21447-2018 CdSe-N-T01型红外固体激光器用硒化镉单晶材料规范
SJ/Z 21350-2018 掺铈硅酸盐闪烁晶体设计指南
SJ 21475-2018 磷化铟单晶片几何参数测试方法
SJ 21476-2018 磷化铟单晶锭退火工艺技术要求
SJ 21477-2018 磷化铟多晶材料合成工艺技术要求
SJ 21478-2018 磷化铟单晶生长工艺技术要求
SJ 21479-2018 磷化铟晶片研磨工艺技术要求
SJ 21486-2018 水气密封电磁防护复合导电橡胶条规范
SJ 21487-2018 电磁屏蔽热缩管规范
SJ 21488-2018 橡胶基吸波片规范
SJ 21489-2018 显示屏用电加热屏蔽玻璃规范
SJ 21490-2018 多层共烧陶瓷 制造工艺路线设计要求
SJ 21491-2018 多层共烧陶瓷 整平工艺技术要求
SJ 21492-2018 多层共烧陶瓷 喷砂工艺技术要求
SJ 21493-2018 碳化硅外延片表面缺陷测试方法
SJ 21534-2018 微波功率器件用氮化镓外延片规范
SJ 21535-2018 电力电子器件用碳化硅外延片规范
SJ 21536-2018 微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范
SJ 20444A-2018 铌酸锂单晶规范
SJ 21120-2016 高电子迁移率晶体管用半绝缘砷化镓抛光片规范
SJ 21121-2016 PVTCdSN1/T-BP01型硫化镉单晶抛光片规范
SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量
SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法
SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法
SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范
SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范
SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片
SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法
SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片
SJ 20866-2003 交叉辗压钼铼合金片规范
SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法
SJ 20635-1997 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法
SJ 2593-1985 高纯四氯化硅
SJ 3241-1989 砷化镓单晶棒及片
SJ/Z 1610-1980 硅外延片缺陷图集
SJ 1549-1979 硅外延片(暂行)
SJ/T 11994-2025 便携式光伏组件
SJ 21441-2018 SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片规范
SJ 20514A-2018 微波功率晶体管用硅外延片规范
SJ 21122-2016 PVTSiC76SI1-BP01型碳化硅单晶抛光片规范
SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南
SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
SJ 20718-1998 碲镉汞晶体中痕量元素的测定方法
SJ 20719-1998 碲镉汞晶体X值的X-射线荧光法测定方法
SJ 20514-1995 微波功率晶体管用硅外延片规范
SJ/T 10627-1995 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法
SJ 2572-1985 太阳能电池用硅单晶棒、片
SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法
SJ 1550-1979 硅外延片检测方法
SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
SJ 20713-1998 砷化镓用高纯镓中铜、锰、镁、钒、钛等12种杂质的等离子体光谱分析法
SJ/T 10379-1993 钨钍合金中二氧化钍的测定方法
SJ/T 11364-2024 电器电子产品有害物质限制使用标识要求
SJ 20513-1995 军用电子管用钨带规范
SJ 20599-1996 推拉钨丝规范
SJ/T 10743-1996 惰性气体保护电弧焊和等离子焊接、切割用钨铈电极
SJ/T 10744-1996 钨钼丝生产专用名词术语
SJ 324-1972 钼片
SJ 20715-1998 电子元器件用铍青铜板带材规范
SJ 20716-1998 电子元器件用铍青铜线棒材规范
SJ 1543-1988 电真空器件用镍及镍合金光谱分析方法
SJ 1538-1987 电真空器件用镍及镍合金化学成分
SJ 1539-1987 电真空器件用镍及镍合金薄壁管
SJ 1540-1987 电真空器件用镍及镍合金丝
SJ 1541-1987 电真空器件用镍及镍合金带
SJ 1538-1979 (标准)
SJ 1539-1979 (标准)
SJ 1540-1979 (标准)
SJ 1541-1979 (标准)
SJ 1543-1979 (标准)
SJ/Z 1544-1979 镍钨镁合金的光谱分析方法
SJ 20500-1995 方舱大板通用规范
SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法
SJ/T 11628-2016 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法
SJ/T 11629-2016 太阳能电池用硅片和电池片的在线光致发光分析方法
SJ/T 11630-2016 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法